512 Мбайт GDDR 3 от Samsung

Понедельник, 13 декабря 2004 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Компания Samsung разработала первые образцы 512 Мбайт GDDR 3 памяти. Чипы имеют рекордную плотность записи для данного типа памяти. В своем пресс-релизе компания сообщает, что новая память имеет пропускную способность до 1,6 Гбит/сек, и массовое производство намечено на начало следующего года.

Начав поставки 256 Мбайт памяти GDDR 3 около года назад, Samsung удерживает лидерство по производству и продажам данной памяти, которая находит широкое применение в видеокартах уровня Hi-End и высокопроизводительных игровых консолях.

Компания ожидает увеличение спроса на чипы памяти для графических устройств на 30% в следующем году, и дальнейшее развитие рынка будет проходить в том же темпе.
Другие новости по теме на Ferra.ru:M1753 от ULi - партнер для Radeon Xpress 200 Однодюймовый портативный Zeus Фото дня: плата ABIT Fatal1ty AA8XE в нашей лаборатории iDEQ 300G Mini PC: стильный BTX-barebone от Biostar Matrox перетащила ядро Parhelia на шину PCI Express


Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 623
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Январь 2018: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
Rating@Mail.ru