Микросхема GDDR3 512 Мбит с пропускной способностью 1,6 Гбит/сек

Пятница, 10 декабря 2004 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Компания Samsung представила новую микросхему памяти стандарта GDDR3 объемом 512 Мбит. Новинка обеспечивает пропускную способность 1,6 Гбит/сек и предназначена для использования в видеокартах для рынка high-end. Подобный объем позволяет использовать небольшое количество микросхем, что положительно сказывается на энергопотреблении. Например, для того, чтобы оснастить видеокарту 256 Мб памяти достаточно использовать всего 4 микросхемы объемом 512 Мбит. Новинка начнет поставляться производителям видеокарт и другого оборудования в начале следующего года.

Популярные статьи на THG.ru:Чипсет ATi Radeon Xpress 200: новое решение для Athlon 64Elitegroup 915P-A: AGP, PCI Express. Теперь и AGP Express?Новые платы на Socket 775: модели Biostar, DFI и EpoxМатеринские платы на чипсетах Intel 925X и 915P: обзор девяти моделейЧипсет Intel 925XE и FSB1066: заглянем в будущее

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 977
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru