Микросхема GDDR3 512 Мбит с пропускной способностью 1,6 Гбит/сек

Компания Samsung представила новую микросхему памяти стандарта GDDR3 объемом 512 Мбит. Новинка обеспечивает пропускную способность 1,6 Гбит/сек и предназначена для использования в видеокартах для рынка high-end. Подобный объем позволяет использовать небольшое количество микросхем, что положительно сказывается на энергопотреблении. Например, для того, чтобы оснастить видеокарту 256 Мб памяти достаточно использовать всего 4 микросхемы объемом 512 Мбит. Новинка начнет поставляться производителям видеокарт и другого оборудования в начале следующего года.

Популярные статьи на THG.ru:Чипсет ATi Radeon Xpress 200: новое решение для Athlon 64Elitegroup 915P-A: AGP, PCI Express. Теперь и AGP Express?Новые платы на Socket 775: модели Biostar, DFI и EpoxМатеринские платы на чипсетах Intel 925X и 915P: обзор девяти моделейЧипсет Intel 925XE и FSB1066: заглянем в будущее