IBM намерена утроить быстродействие транзисторов

Вторник, 7 декабря 2004 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Корпорация IBM разработала новую технологию производства транзисторов, которая, как ожидается, в перспективе позволит создавать полупроводниковые микросхемы по нормам 32-нанометрового техпроцесса.

В основе предложенной методики лежит применение напряженного германия. Кристаллы напряженного германия отличаются увеличенным расстоянием между узлами кристаллической решетки. Это обеспечивает повышение скорости движения электронов и, соответственно, повышение быстродействия всего транзистора в целом. Причем, по заявлениям специалистов "Голубого гиганта", речь идет, как минимум, о трехкратном улучшении характеристик по сравнению с микросхемами из напряженного кремния. Подобные показатели достигаются, прежде всего, за счет нанесения тончайшего слоя германия на затвор транзистора.

Ожидается, что разработанная технология будет использоваться на практике к 2010-2013 гг. при производстве микропроцессоров по 32-нанометровым нормам. В настоящее время компьютерные чипы выпускаются по 130-нанометровой и 90-нанометровой технологиям. К 2006 году ведущие производители намерены освоить 65-нанометровый техпроцесс. Кстати, полнофункциональную микросхему SRAM, изготовленную по 65-нанометровой методике, уже продемонстрировала корпорация Intel: чип имеет емкость 70 Мбит и содержит 500 миллионов транзисторов.


Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 822
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru