Samsung разработала 1Гбит чипы OneNAND Flash памяти

Вторник, 23 ноября 2004 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Samsung разработала высокоскоростные чипы OneNAND Flash памяти размером 1Гбит. Новые чипы планируется использовать в мультимедийных мобильных телефонах нового поколения, требующих высоких скоростей обмена данными - скорость чтения данных для чипов OneNAND Flash памяти составляет 108Мбит/с и записи 10Мбит/с.

Чипы памяти OneNAND от Samsung используют концепцию Unified Storage, которая позволяет комбинировать высокую скорость чтения NOR flash памяти и расширенные функции хранения информации NAND flash памяти. Эти микросхемы имеют интегрированный буфер и логический интерфейс. Для обмена информацией используется синхронный интерфейс, тактовая частота которого составляет 66 МГц и скорость чтения до 108Мбит/с, что в четыре раза выше чем скорость чтения обычной NAND Flash памяти. Для защиты информации встроена функция защиты данных OTP, которая может запрещать использование выделенных блоков памяти.

Samsung планирует выпускать чипы OneNAND Flash памяти как обычные чипы Flash памяти и как комбинированные многочиповые MCP модули. Например - два чипа 1Gb OneNAND Flash памяти и один чип SDRAM памяти в трех чиповом модуле MCP.


Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 689
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Июнь 2007: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
Rating@Mail.ru