Samsung разработала чип для SIM-карт со 128 Мб флэш-памяти

Четверг, 18 ноября 2004 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Samsung Electronics сообщила о разработке микросхемы для SIM-карт, предназначенных для использования в мобильных 3G-телефонах — S3FJ9CH, которая снабжена 128 Мб флэш-памяти NAND. Кроме этого, в ней имеется 32-разрядное процессорное ядро SC200 на основе архитектуры ARM, Java-ускоритель, аппаратные средства DES- и AES-шифрования и криптопроцессор PKI. Также в данном чипе реализована поддержка высокоскоростных интерфейсов MMC и USB 2.0. К массовому производству представленных микросхем Samsung рассчитывает приступить во второй половине следующего года (в настоящее время она приступила к опытным их поставкам производителям SIM-карт).

Одновременно южнокорейская копания анонсировала две новых микросхемы для смарт-карт, одна из которых — S3CC91H — оборудована 512 Кб выстроенной памяти EEPROM (Electrically Erasable and Programmable ROM), а другая — S3FJ9SK — 1 Мб флэш-памяти NOR (наибольший сегодня объем, доступный на смарт-картах).


Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 671
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Сентябрь 2015: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
Rating@Mail.ru