Hynix закончила разработку памяти 1 Гб DDR3 на базе техпроцесса 40-нм
Представители Hynix Semiconductor объявили, что компания закончила разработку памяти 1Gb DDR3 на базе техпроцесса 40-нм.
На данный момент эта память, как отмечают в Hynix, соответствует требованиям Intel, но ей еще предстоит пройти сертификацию. Максимальная скорость работы новой памяти составляет 2133 Мбит/сек, а общая продуктивность превышает этот показатель для памяти на базе техпроцесса 50-нм более чем на 50%, по словам производителя.
Также отметим, что массовое производство памяти DDR3 на основе техпроцесса 40-нм в Hynix запланировано на 3 квартал 2009 года.
На данный момент эта память, как отмечают в Hynix, соответствует требованиям Intel, но ей еще предстоит пройти сертификацию. Максимальная скорость работы новой памяти составляет 2133 Мбит/сек, а общая продуктивность превышает этот показатель для памяти на базе техпроцесса 50-нм более чем на 50%, по словам производителя.
Также отметим, что массовое производство памяти DDR3 на основе техпроцесса 40-нм в Hynix запланировано на 3 квартал 2009 года.
Ещё новости по теме:
18:20