Toshiba приступила к производству 43-нм флэш-памяти

Вторник, 28 октября 2008 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Компания Toshiba приступила к изготовлению микросхем NAND-памяти с использованием 43-нм технологического процесса, передает Tech On!

Всего производитель предлагает 16 различных продуктов, выполненных с использованием нового техпроцесса, емкостью от 64 МБ до 8 ГБ. Модули памяти емкостью 4 и 8 ГБ состоят из нескольких микросхем емкостью по 2 ГБ каждая, изготовленных на 43-нм техпроцессе. Вышеуказанные продукты обладают самой высокой плотностью записи данных в объеме, доступной на рынке в настоящий момент времени, пишет источник.

Микросхемы изготовлены по типу SLC, то есть с одноуровневой структурой ячеек, и рассчитаны на большое число циклов чтения и записи. Назначение новых продуктов самое разнообразное: внутренняя память сотовых телефонов, системы хранения данных и т.д. Новая память Toshiba создана специально для тех областей применения, где предъявляются повышенные требования к скорости работы и надежности.


Микросхемы флэш-памяти Toshiba, сделанные на 43-нм техпроцессе

Новые микросхемы памяти появятся в коммерческих продуктах в I квартале 2009 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 919
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003