Samsung представляет первые микросхемы памяти 2 Гб DDR2

Samsung представил первые микросхемы памяти 2 Гб DDR2 SDRAM, выпущенные по технологии 80 нм. Модули DDR2 высокой плотности призваны улучшить производительность серверов и рабочих станций, обеспечив лучшее выполнение задач, интенсивно использующих память, таких как видеоконференции, удаленные медицинские сервисы и 3D графика.

Массовый выпуск новых микросхем Samsung планирует начать во второй половине 2005 года. На их основе будут выпускаться модули памяти объемом 2, 4 и 8 ГБ.
Источник: Samsung