Кремний на сапфире: 100 ГГц - уже не предел

Понедельник, 27 сентября 2004 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Поиск путей изготовления полупроводниковых микросхем на новых типах подложек (алмаз, сапфир), идет уже несколько лет. Как стало известно , компания Peregrine Semiconductor сообщила о разработке технологии, позволяющей выпускать чипы по технологии silicon-on-sapphire с соблюдением норм 0,25 мкм. Компания даже начала принимать заказы на изготовление интегральных схем по новой технологии.

Perergine является партнером Oki Electric Industry с сентября 2002 года и владеет собственным заводом по обработке 150-мм полупроводниковых пластин в Австралии, использующегося для изготовления чипов по 0,5-мкм нормам.
Согласно представленным компанией данным, технология silicon-on-sapphire позволяет производить кремниевые транзисторы, чья предельная частота лежит выше 100 ГГц. Ранее это было "по зубам" лишь арсенид-галлиевым полупроводниковым устройствам.


Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 1574
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru