Кремний на сапфире: 100 ГГц - уже не предел

Поиск путей изготовления полупроводниковых микросхем на новых типах подложек (алмаз, сапфир), идет уже несколько лет. Как стало известно , компания Peregrine Semiconductor сообщила о разработке технологии, позволяющей выпускать чипы по технологии silicon-on-sapphire с соблюдением норм 0,25 мкм. Компания даже начала принимать заказы на изготовление интегральных схем по новой технологии.

Perergine является партнером Oki Electric Industry с сентября 2002 года и владеет собственным заводом по обработке 150-мм полупроводниковых пластин в Австралии, использующегося для изготовления чипов по 0,5-мкм нормам.
Согласно представленным компанией данным, технология silicon-on-sapphire позволяет производить кремниевые транзисторы, чья предельная частота лежит выше 100 ГГц. Ранее это было "по зубам" лишь арсенид-галлиевым полупроводниковым устройствам.