Intel знает, как вдвое увеличить емкость памяти без особых затрат

Вторник, 5 февраля 2008 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Пару дней назад мы писали о том, что Intel совместно с Micron разрабатывает самую быструю память в мире, а теперь появились данные о том, что Intel располагает технологией, благодаря которой емкость накопителей на основе фазового перехода можно увеличить вдвое, при этом не особенно повысив их стоимость.

Эта технология известна уже более двух лет и основана на фазовых свойствах композитного материала, в состав которого входит германий и сурьма. При подаче небольшого напряжения происходит его нагрев, и он меняет свое состояние с аморфного на кристаллическое.

Такая память во-первых, намного быстрее обычной флэш-памяти (приблизительно в 500 раз). А теперь, благодаря открытию Intel и ее партнера ST Microelectronics, она стала еще и вдвое более емкой.

Суть открытия состоит в том, что между двумя основными фазовыми состояниями этого материала можно выделить еще два относительно стабильных, что позволит расширить объем памяти такого же по площади кристалла.

© Cyberstyle.ru по материалам Engadget.com

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 1260
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Июнь 2013: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30