Технология микроэлектронного производства может стать проще
Формирование микрорельефа на поверхности кристалла - один из самых сложных процессов в производстве микросхем. Однако в скором времени этот процесс можно будет упростить благодаря открытию ученых из Пристонского университета.
Образование углублений на поверхности происходит с помощью процесса, получившего название структурирования под действием разрыва. Технология исключительно проста - на твердую поверхность кремниевой пластины наносят тонкую полимерную пленку, затем сверху накладывают вторую пластину, и образовавшийся "бутерброд" нагревают. Затем две пластины разнимают, и на каждой из них можно наблюдать ровные углубленные линии с расстоянием между ними, равным учетверенной толщине полимерной пленки.
Открытие было сделано случайно, никто не предполагал, что подобный метод может дать ровные параллельные линии. До сих пор для формирования таких углублений использовали электронные или ионные пучки, а также механическую обработку.
Сейчас ученые пытаются разобраться в механизме процесса, подобрать оптимальные условия формирования рельефа. Расстояние между сформированными на поверхности кристалла канавками в настоящее время составляет 60 нм.
Подобные рельефы находят использование в различных оптических, биологических и электронных устройствах, в частности, при нанесении жидких кристаллов в дисплеях, при производстве различных дифракционных решеток.
Работа принстонских ученых опубликована 2 сентября в онлайновой версии журнала Nature Nanotechnology.
Образование углублений на поверхности происходит с помощью процесса, получившего название структурирования под действием разрыва. Технология исключительно проста - на твердую поверхность кремниевой пластины наносят тонкую полимерную пленку, затем сверху накладывают вторую пластину, и образовавшийся "бутерброд" нагревают. Затем две пластины разнимают, и на каждой из них можно наблюдать ровные углубленные линии с расстоянием между ними, равным учетверенной толщине полимерной пленки.
Открытие было сделано случайно, никто не предполагал, что подобный метод может дать ровные параллельные линии. До сих пор для формирования таких углублений использовали электронные или ионные пучки, а также механическую обработку.
Сейчас ученые пытаются разобраться в механизме процесса, подобрать оптимальные условия формирования рельефа. Расстояние между сформированными на поверхности кристалла канавками в настоящее время составляет 60 нм.
Подобные рельефы находят использование в различных оптических, биологических и электронных устройствах, в частности, при нанесении жидких кристаллов в дисплеях, при производстве различных дифракционных решеток.
Работа принстонских ученых опубликована 2 сентября в онлайновой версии журнала Nature Nanotechnology.
Ещё новости по теме:
18:20