Создан гибридный чип памяти на основе нанонитей
Ученые из Национального Института Стандартов и Технологий (Institute of Standards and Technology), США, и их коллеги из Кореи (Kwangwoon University) сконструировали чип, который использует кремниевые нанонити в составе традиционных устройств памяти.
Как сообщает PhysOrg, энергонезависимая память на основе кремниевых нанонитей подобна обычной flash-памяти, распространенной в настоящее время в большинстве цифровых видеокамер, фотоаппаратов и мобильных телефонах.
Ученые разработали новый метод производства подобных наноструктур, благодаря которому они добились параллельного расположения нанонитей на многослойной подложке полупроводник-оксид-нитрид-оксид-полупроводник (SONOS).
Благодаря нововведениям в производстве, исследователи уверены, что конечная стоимость чипов будет невысокой, так как для производства современной flash-памяти требуется большее количество производственных операций.
Кремниевые нанонити изначально выращивались учеными на подложке оксид-нитрид-оксид. Принцип хранения памяти в устройстве сравнительно прост: при подаче положительного потенциала на нанонить электроны туннелируются в подложку, заряжая ее. Отрицательный потенциал, наоборот, способствует возвращению электронов назад в нанонить. Таким образом реализованы два логических состояния – "1" и "0".
Как позже показали тесты, устройство находится в состояниях "1" и "0" устойчиво, без промежуточных состояний.
Также устройство отличается достаточно высокой стабильностью работы при повышенных температурах и простой интеграцией в технологический процесс по производству чипов памяти.
Как сообщает PhysOrg, энергонезависимая память на основе кремниевых нанонитей подобна обычной flash-памяти, распространенной в настоящее время в большинстве цифровых видеокамер, фотоаппаратов и мобильных телефонах.
Ученые разработали новый метод производства подобных наноструктур, благодаря которому они добились параллельного расположения нанонитей на многослойной подложке полупроводник-оксид-нитрид-оксид-полупроводник (SONOS).
Благодаря нововведениям в производстве, исследователи уверены, что конечная стоимость чипов будет невысокой, так как для производства современной flash-памяти требуется большее количество производственных операций.
Кремниевые нанонити изначально выращивались учеными на подложке оксид-нитрид-оксид. Принцип хранения памяти в устройстве сравнительно прост: при подаче положительного потенциала на нанонить электроны туннелируются в подложку, заряжая ее. Отрицательный потенциал, наоборот, способствует возвращению электронов назад в нанонить. Таким образом реализованы два логических состояния – "1" и "0".
Как позже показали тесты, устройство находится в состояниях "1" и "0" устойчиво, без промежуточных состояний.
Также устройство отличается достаточно высокой стабильностью работы при повышенных температурах и простой интеграцией в технологический процесс по производству чипов памяти.
Ещё новости по теме:
18:20