Раскрыты причины 1/f-шума в полупроводниках

Четверг, 10 мая 2007 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Ученым из России, Соединенных штатов и Норвегии удалось установить причины возникновения универсальной 1/f-зависимости в спектре мощности шумов полупроводниковых электронных приборов. Результаты их исследования могут привести к созданию более чувствительных полупроводниковых датчиков и детекторов.
Более подробная информация об открытии будет представлена на портале Исследования и разработки – R&D.CNews.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 1170
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003