Infineon и IBM представили 16-мегабитную память MRAM

Понедельник, 28 июня 2004 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Infineon Technologies и представили 16-Мбитный чип магнитно-резистивной оперативной памяти (MRAM), самый емкий в своем классе, сообщает NE Asia Online.
Магнитно-резистивная память обладает более высокими скоростными характеристиками, чем NAND и NOR флэш,- в миллион раз быстрее записывается и в 3 - 1000 раз быстрее считывается соответственно, и потребляет меньше энергии. Это позволяет говорить о принятии ее в будущем за основу для мобильной электроники.
Демонстрационный модуль реализован по 0,18-микронной технологии, имеет время доступа 30-40 нс. MRAM представляет собой ячейки с однотранзисторным соединением по одному магнитному тоннелю (1T1MTJ) и интерфейс типа SRAM, преобладающий в мобильной памяти. Высокая емкость была достигнута за счет снижения площади ячейки. Память использует новый ускоренный драйвер записи и несколько усовершенствований для уменьшения энергопотребления.
Чип MRAM состоит из трех металлических слоев 1T1MTJ: заземляющая смесь, линия записи слова (WWL) и битовая линия (BL). Первая позволяет размещать большие непрерывные массивы информации.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 328
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru