Samsung разработал модуль 1 Гбит mobile DRAM

Среда, 27 декабря 2006 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Корейская компания Samsung объявила о разработке модуля памяти 1 Гбит mobile DRAM, построенного на базе 80-нанометровой технологии. Массовое производство новых моделей запланировано на 2 квартал 2007 года.
Чип будет более эффективен по затратам, чем другие мобильные решения. Модуль можно использовать в различных устройствах, в том числе цифровых камерах, портативных медийных плеерах и игровых продуктах.
Цельный модуль 1 Гбит окажется выгоднее, чем сдвоенные модули 1 Гбит. Энергопотребление в новых чипах меньше по сравнению с существующими вариантами. Хотя в модуле 1 Гбит mobile DRAM от Samsung использована та же технология, что и в сдвоенном модуле по 512 Мбит, снижение расхода энергии составит 30%.
Как заявляют представители Samsung, новый чип на 20% тоньше, чем мультистековый модуль.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 1067
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Сентябрь 2020: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30