Создан самый быстрый полевой нанотранзистор

Пятница, 26 мая 2006 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Исследователями из Гарвардского университета создан самый лучший на сегодняшний день нанотранзистор на основе нанострун, сообщает Nanotechweb. Устройство состоит из германиево/кремниевого ядра и кремниевых нанострун. По мнению экспертов, это самый совершенный полевой транзистор, который когда-либо был создан.
"Мы доказали, что наш Ge/Si нанострунный FET (полевой транзистор) быстрее в 3-4 раза, чем современные кремниевые CMOS, - комментирует открытие доктор Чарльз Либер (Charles Lieber). - Также наш нанотранзистор может посоревноваться в области быстродействия с обычными плоскими полевыми FET. Мы надеемся, что вскоре в микроэлектронной индустрии появится новый стандарт FET-устройств – нанострунный Ge/Si FET. Создание такого устройства стало возможным в основном благодаря проведенным ранее фундаментальным исследованиям в области наноэлектроники".
Д-р Либер и его коллеги создали структуру "ядро-нити" в Ge/Si наноструктуре с надежными омическими контактами и высокой мобильностью носителей зарядов. Как было установлено, время переключения нанотранзистора приближается к аналогичным показателям у транзистора из нанотрубок. И, естественно, оно выше, чем у традиционных MOSFET устройств.
Либер убежден в том, что нанотранзистор будет востребован производителями чипов для дальнейшего использования в скоростной логике нового поколения. Не секрет, что традиционная CMOS–технология уже не может обеспечить нужного быстродействия для ее использования в микропроцессорах будущего. Также д-р Либер уточнил, что нанотранзистор технологически совместим с логическими схемами на прозрачных и гибких основах – пластике, органических пленках и т.п.
Сейчас исследователи планируют уменьшить размер нанотранзистора для того, чтобы его можно было использовать в интегральных схемах. Д-р Либер и его команда разрабатывают технологию массового производства подобных устройств.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 648
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru