В израильском г.Кирьят-Гат началось строительство завода Intel

Американский производитель полупроводников Intel начал строительство завода по производству микросхем в израильском г.Кирьят-Гат, сообщает РБК. На церемонии закладки первого камня присутствовали представители Intel и члены израильского правительства, в том числе и.о.премьер-министра Израиля Эхуд Ольмерт. По словам главы израильского правительства, строительство завода имеет политическое значение. Г-н. Ольмерт подчеркнул, что, несмотря на приход к власти в Палестине группировки "Хамас", руководство Intel "не испугалось и не потеряло веру в израильское государство и его внутриполитическую и экономическую стабильность".

Новый завод станет вторым заводом Intel на территории Израиля и крупнейшим индустриальным проектом по объему инвестиций за всю историю страны. Объем вложений Intel в строительство завода составит порядка $4 млрд. Правительство Израиля согласилось предоставить грант в размере $525 млн. на поддержку этого проекта.

Новый завод Intel начнет работу со второй половины 2008 г. и будет производить микросхемы по технологии, позволяющей уменьшить размеры готового изделия в 2 раза по сравнению с нынешними стандартными 90-нанометровыми микросхемами. По словам руководства компании, строительство нового предприятия создаст около 4,4 тыс. новых рабочих мест.