Samsung и Hynix разделяют скептицизм Intel
Как мы недавно сообщали, нерешенные до сих пор проблемы современных литографических технологий ставят под вопрос сроки перехода на нормы 32 и 22 нм. Одно время часть промышленников возлагали определенные надежды на иммерсионные технологии (с использованием погружения в воду или иную жидкость с показателем преломления больше 1), однако иммерсионные технологии, судя по всему, могут быть готовы к внедрению слишком поздно, поэтому, вслед за Intel, отказаться от иммерсии готовы также Hynix и Samsung (и это довольно тревожный симптом, так как Samsung и Intel занимают две верхние строчки в мировом рейтинге капитальных затрат на развитие промышленности). К тому же Intel уже продемонстрировала возможность использования "сухих" 193-нм инструментов для производства с соблюдением норм 45- нм техпроцесса.
Поэтому неудивительно, что Hynix и Samsung, не сговариваясь, в ходе конференции SPIE Microlithography сообщили о готовности использовать "сухие" 193-нм технологии для производства 50-нм NAND флэш-памяти. В своем докладе, представители Hynix рассказали о создании 50-нм чипов NAND флэш-памяти с использованием двойной экспозиции вместо иммерсионной технологии. С похожей аргументацией выступили и сотрудники Samsung, признав, что "иммерсионная технология еще не готова", в то время как для нужд производства флэш-памяти и оперативной памяти (DRAM) системы двойной экспозиции обеспечивают неплохую производительность и качество.
Что касается 32-нм норм, вызывающих сейчас наибольшее беспокойство, то представители IMEC предлагают считать двойную экспозицию своеобразной "страховкой" - если технологии ультрафиолетовой (EUV) литографии не будут готовы в срок, то на 32-нм нормы можно будет перейти с использованием одновременно иммерсии и двойной экспозиции.
Впрочем, кроме скептиков в лице Intel, Samsung и Hynix, есть и такие, что готов использовать иммерсионные технологии в своем 45-нм производстве – это IBM, AMD, Chartered, Infineon, TI и TSMC. Уже известно, что корпорация Nikon готова начать поставки 193-нм иммерсионного сканера NSR-S610C с численным значением апертуры (NA) 1,3, и этот сканер будет предназначен именно для массового производства по 45-нм нормам. Об ASML и её Twinscan XT:1700i мы уже упоминали (см. выше).
Источник: EE Times
Поэтому неудивительно, что Hynix и Samsung, не сговариваясь, в ходе конференции SPIE Microlithography сообщили о готовности использовать "сухие" 193-нм технологии для производства 50-нм NAND флэш-памяти. В своем докладе, представители Hynix рассказали о создании 50-нм чипов NAND флэш-памяти с использованием двойной экспозиции вместо иммерсионной технологии. С похожей аргументацией выступили и сотрудники Samsung, признав, что "иммерсионная технология еще не готова", в то время как для нужд производства флэш-памяти и оперативной памяти (DRAM) системы двойной экспозиции обеспечивают неплохую производительность и качество.
Что касается 32-нм норм, вызывающих сейчас наибольшее беспокойство, то представители IMEC предлагают считать двойную экспозицию своеобразной "страховкой" - если технологии ультрафиолетовой (EUV) литографии не будут готовы в срок, то на 32-нм нормы можно будет перейти с использованием одновременно иммерсии и двойной экспозиции.
Впрочем, кроме скептиков в лице Intel, Samsung и Hynix, есть и такие, что готов использовать иммерсионные технологии в своем 45-нм производстве – это IBM, AMD, Chartered, Infineon, TI и TSMC. Уже известно, что корпорация Nikon готова начать поставки 193-нм иммерсионного сканера NSR-S610C с численным значением апертуры (NA) 1,3, и этот сканер будет предназначен именно для массового производства по 45-нм нормам. Об ASML и её Twinscan XT:1700i мы уже упоминали (см. выше).
Источник: EE Times
Ещё новости по теме:
18:20