Возможности литографии по нормам 32 нм остаются под вопросом
Вчера мы рассказывали об успехах компании IBM в деле освоения новых рубежей ультрафиолетовой иммерсионной литографии. Казалось бы, производители полупроводников получили надежду на то, что существующие технологии позволит им продержаться до подхода новых разработок. Однако не все так просто. Использование литографии все еще остается под большим вопросом, когда речь заходит о нормах 32 нм, освоение которых, по предварительным оценкам, ожидается в 2009 году. Источник рассказывает об опасениях, которыми вчера поделились эксперты бельгийской исследовательской организации IMEC на конференции SPIE Microlithography.
Дело в том, что в отрасли пока нет единого мнения, какая из разновидностей литографической технологии может быть использована при переходе к 32-нм процессу. Пока выбор обозначилось три технологии-кандидатки: ультрафиолетовая (EUV), 193-нм иммерсионная (использованная в разработке IBM) и технология с двойным экспонированием.
По мнению представителя IMEC, 193-нм иммерсионная технология и технология с двойным экспонированием являются "наименее рискованными". В своей лаборатории IMEC удалось с помощью 193-нм иммерсионной технологии изготовить элементы размером 40 нм. Использование иммерсионных жидкостей второго и третьего поколений с показателем преломления 1,65 и 1,8, теоретически, может обеспечить работу с нормами 32 нм. Как раз над созданием таких жидкостей и работают ученые.
Недостатки технологии с двойным экспонированием - повышенная стоимость, усложнение и удлинение производственного цикла.
Что касается EUV, то главными проблемами этой технологии являются разрешение и чувствительность фоторезиста, неоднородность краев линий. Кроме того, для EUV необходимы новые источники излучения. Срок жизни конденсора для EUV сейчас не превышает одного месяца. Ранее ожидалось, что к 2006 году удастся создать устройство, срок службы которого составит четыре года.
Могут ли такие трудности остановить стойких приверженцев EUV? По сведениям источника, оказавшись без соответствующего оборудования и материалов к намеченному ранее сроку, компания Intel отставила в сторону планы по внедрению EUV в серийном производстве по нормам 32 нм к 2009 году. Вместо этого, Intel теперь собирается сделать ставку на 193-нм литографию.
Источник: EE Times
Дело в том, что в отрасли пока нет единого мнения, какая из разновидностей литографической технологии может быть использована при переходе к 32-нм процессу. Пока выбор обозначилось три технологии-кандидатки: ультрафиолетовая (EUV), 193-нм иммерсионная (использованная в разработке IBM) и технология с двойным экспонированием.
По мнению представителя IMEC, 193-нм иммерсионная технология и технология с двойным экспонированием являются "наименее рискованными". В своей лаборатории IMEC удалось с помощью 193-нм иммерсионной технологии изготовить элементы размером 40 нм. Использование иммерсионных жидкостей второго и третьего поколений с показателем преломления 1,65 и 1,8, теоретически, может обеспечить работу с нормами 32 нм. Как раз над созданием таких жидкостей и работают ученые.
Недостатки технологии с двойным экспонированием - повышенная стоимость, усложнение и удлинение производственного цикла.
Что касается EUV, то главными проблемами этой технологии являются разрешение и чувствительность фоторезиста, неоднородность краев линий. Кроме того, для EUV необходимы новые источники излучения. Срок жизни конденсора для EUV сейчас не превышает одного месяца. Ранее ожидалось, что к 2006 году удастся создать устройство, срок службы которого составит четыре года.
Могут ли такие трудности остановить стойких приверженцев EUV? По сведениям источника, оказавшись без соответствующего оборудования и материалов к намеченному ранее сроку, компания Intel отставила в сторону планы по внедрению EUV в серийном производстве по нормам 32 нм к 2009 году. Вместо этого, Intel теперь собирается сделать ставку на 193-нм литографию.
Источник: EE Times
Ещё новости по теме:
18:20