Toshiba и NEC повышают плотность и скорость работы памяти MRAM

Вторник, 7 февраля 2006 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Разработку новых типов памяти ведут многие компании. Среди перспективных направлений называют Ovonic Unified Memory (OUM), Ferroelectric RAM (FRAM), Nanotube RAM (NRAM) и Magneto-Resistive RAM (MRAM). И если продажу памяти на нанотрубках обещают начать только в следующем году, то образцы магниторезистивной памяти уже представили несколько компаний и она вот-вот появится в составе однокристальных систем.
Компании Toshiba и NEC разрабатывают MRAM совместно. Согласно опубликованным сегодня данным, им удалось создать новое изделие, в котором объединены максимальная плотность и наилучшие скоростные показатели операций чтения и записи, достигнутые для MRAM на данный момент. Говоря языком чисел, плотность новинки - 16 мегабит, скорость чтения и записи - 200 мегабит в секунду (время цикла - 34 нс). Напряжение питания новой памяти - 1,8 В - делает ее особенно подходящей для мобильных устройств с батарейным питанием.
Основная трудность, с которой столкнулись разработчики MRAM, была связана с повышением скорости чтения. Цепь, генерирующая магнитное поле для записи, замедляла операцию чтения из ячейки памяти. Решение было найдено в разделении цепей чтения и записи. Помимо увеличения скорости работы, такой прием позволил снизить эквивалентное сопротивление на 38% за счет "разветвления" тока записи (см. схему).

Для выпуска памяти был использован 130-нм технологический процесс. Напомним, MRAM сохраняет информацию при отключенном питании, поэтому может заменить используемую сейчас флэш-память. Вместе с тем, высокая скорость работы и плотность позволяет ей претендовать на роль универсальной памяти (объединяющей свойства DRAM, SDRAM и флэш-памяти). Объем рынка универсальной памяти, согласно данным аналитической компании iSuppli, к 2019 году составит более 76 млрд. долл.
Источники: Toshiba, NEC, iSuppli, iXBT.com

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 470
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru