Freescale разработала арсенид-галлиевые MOSFET

Вторник, 31 января 2006 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Freescale сообщила о создании полевого транзистора структуры МОП (металл-окисел-полупроводник) или, сокращенно, MOSFET; с использованием арсенида галлия. Такие транзисторы компания планирует использовать в высокочастотных усилителях мощности и быстродействующих полупроводниковых аналогово-цифровых преобразователях.

Подавляющее большинство современных цифровых микросхем производятся как раз с использованием полевых транзисторов МОП или КМОП структуры, только из более доступного материала, кремния. МОП полевые транзисторы или MOSFET также являются основой для разработок, призванных увеличить быстродействие кремниевых чипов: с трехмерным ("плавниковым") затвором или тройным стоком.

Арсенид-галлиевые транзисторы являются более перспективными в плане быстродействия (предельные частоты до 20 раз выше кремниевых аналогов), однако, по словам Freescale, до сих пор из этого материала MOSFET-транзисторы создавать не удавалось, а быстродействующие активные элементы и интегральные схемы традиционно выполнялись по технологии планарных биполярных транзисторов.

Главной трудностью являлось нанесение диоксида кремния или какого-либо иного изолирующего материала в районе затвора на арсенид-галлиевый исток. Freescale удалось подобрать такой диэлектрик, который равномерно "садится" на арсенид-галлиевую основу. Что это за материал, источник не сообщает.

Freescale предполагает, что на первых порах MOSFET-транзисторы будут использованы в узком кругу специализированных устройств, дополняющих традиционные кремниевые чипы. И хотя демонстрация возможности использования опробованного промышленностью подхода, скорее всего, станет еще одним "кирпичиком" для создания будущих высокопроизводительных микросхем, на их пути в массы стоит серьезное препятствие – гораздо более высокая, чем у кремния, себестоимость.

Источник: EE Times

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 1420
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru