Новости бизнесаСтатьиНоу ХауАналитикаДеньгиБизнес технологииКурс валют
Главная > Новости бизнеса > Hi-Tech > Intel представляет 45-нм техпроцесс

Intel представляет 45-нм техпроцесс

Четверг, 26 января 2006 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Стремясь опередить конкурентов, Intel готова одной из первых объявить об успешной разработке 45-нм производственного технологического процесса и продемонстрировать образцы микросхем. По словам представителей Intel, время задержки 45-нм транзисторов в два раза меньше 65-нм аналогов, скорость переключения на 20% выше, а энергопотребление – на 30% меньше.

45-нм технологический процесс, названный P1266, использует медные проводники, изоляторы с малой диэлектрической проницаемостью (low-k), технологии "напряженного кремния" и несколько других разработок, не столь принципиальных. Собирается ли компания использовать двуокись кремния или диэлектрики с высокой проницаемостью в критических стэках затворов, не сообщается. Но, что любопытнее и неожиданнее всего, для производства будут задействованы "сухие" 193-нм литографические сканеры – вопреки ранним предположениям о намерениях перейти на иммерсионные технологии для норм 45 нм. Как сообщил Марк Бор (Mark Bohr), старший исследователь и директор подразделения архитектур процессов и интеграции Intel, иммерсионная литография ныне рассматривается как возможный вариант для производства по 32-нм нормам – если к тому моменту технологии жестко-ультрафиолетовой литографии (EUVL) будут недоступны.

К слову, IBM и TSMC, напротив, обеими руками за использование иммерсионной литографии для 45-нм норм. "Мокрые" технологии присутствуют в планах и таких компаний, как AMD, Chartered, Samsung и многих других. Вопреки тому, что многие считают целесообразным, Intel также не использует структуру SOI ("кремний-на-изоляторе"), хотя AMD, освоив SOI, уже готовится выполнять кэш-память с использованием такого неожиданного и, как оказалось, приятного бонуса, как "эффект плавающего заряда" (Z-RAM). Что ж, Intel, как обычно, в своем амплуа – упорного последователя "старой школы", несмотря на то, что это амплуа сильно подводит компанию уже второй раз.

Как водится, в роли образца 45-нм чипа предлагается статическая память (SRAM). В данном случае это – 153-Мбит микросхема размером 119 кв. мм, 0,346-кв. мм. ячейки созданы по классической шеститранзисторной схеме. Кроме SRAM, в чип встроены цепи фазовой коррекции, контроллер и регистр ввода/выводы, а также тестовые элементы. Утверждается, что в массовое производство 45-нм технологии могут быть внедрены уже в конце 2007 года.

Несмотря на то, что о своих 45-нм разработках уже сообщили, например, NEC и Toshiba, Intel заявляет о своем "технологическом превосходстве". Марк Бор считает, что "можно уверенно сказать – мы впереди остальных. Я видел их сообщения, но в них нет такого же уровня детализации, который есть у нас".

Кроме объявления 45-нм чипа, конечно же, не обошлось без камня в огород AMD, вернее, без намека на то, как Intel собирается отвоевывать технологическое первенство у конкурента – надо отдать ей должное, даже "камни" компания бросает достаточно интеллигентно. В этом году Intel планирует представить ряд двухъядерных процессоров для настольных и портативных систем. Все они будут производиться с соблюдением норм 65-нм техпроцесса.

Наконец, сообщается о готовности перевести три завода на 45-нм производство: D1D в штате Орегон, Fab 32 в Аризоне и Fab 28 в Израиле.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 487
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

09: 20
Глава LeEco попал в китайский национальный список должников |
09: 20
Tesla Model X против Toyota Land Cruiser: кто кого? |
08: 00
Google решает проблему с замедленным сканером отпечатков пальцев смартфона Pixel 2 XL |
07: 20
Появилась iOS-игра, в которую можно играть бровями |
07: 20
Компания 360 Mobiles пошла по стопам Xiaomi, начав выпускать умную домашнюю технику |
07: 00
Языку Perl исполнилось 30 лет |
18: 20
Смартфон BlackBerry Priv лишился технической поддержки |
18: 20
YouTube могут заблокировать в России |
18: 20
Android 8 выйдет для флагманов Samsung лишь в январе |
17: 20
Как Nissan проверяет качество окраски? |
17: 00
NASA: «Искусственный интеллект обнаружил новую планету» |
17: 00
Умные наушники Vinci 2.0 |
16: 40
Смартфоны 2017 года от Xiaomi, OnePlus и LeEco со скидкой в GearBest |
16: 20
125 рассекреченных записей ядерных взрывов выложили на Youtube |
16: 20
Realfiction покажет на CES 2018 крупнейший в мире дисплей смешанной реальности |
16: 20
Юбилей LEAGOO: скидки до 50% на актуальные фирменные смартфоны |
16: 00
Fast Charge: стильное беспроводное ЗУ для вашего смартфона |
15: 40
Одноклассники запустили платформу для больших публикаций |
15: 00
Прекращена поддержка смартфона BlackBerry Priv |
15: 00
Государственный поисковик «Спутник» доработали на 260 млн рублей |
15: 00
EVGA дает тысячу долларов за видеокарты пятнадцатилетней давности |
14: 40
Ученые объяснили, почему некоторые рыбы-клоуны - скучные |
14: 40
Подарки для биохакеров |
14: 40
Аудитория киберспорта в России: стоит ли заходить на этот рынок |
13: 40
Неандертальцы были гораздо умнее, чем мы думали |
13: 20
В США отменили сетевой нейтралитет |
13: 20
Стала известна дата презентации Samsung Galaxy S9 |
13: 20
Продажей «Кортежа» займутся Sollers и НАМИ |
12: 40
Первый смартфон с оптическим дактилоскопическим датчиком Synaptics покажет Vivo |
12: 20
Новый набор в Школу разработки интерфейсов |
12: 20
Galaxy S9 и S9+ показали со всех сторон на 3D-рендерах |
Новости бизнесаСтатьиНоу ХауАналитикаДеньгиБизнес технологииКурс валют
Rating@Mail.ru
Условия размещения рекламы

Наша редакция

Обратная связь

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003