Kopin GAIN-HBT: полупроводники нового поколения помогут улучшить мобильные телефоны

Компания Kopin, выпускающая пластины для изготовления биполярных транзисторов с гетеропереходом (heterojunction bipolar transistor, HBT), объявила о начале массового выпуска нового поколения своей продукции: GAIN-HBT (GaAsInN HBT).
Ожидается, что транзисторы GAIN-HBT будут использованы в цепях усиления мощности в десятках миллионов сотовых телефонных аппаратов. Дело в том, что они позволяют улучшить ключевые показатели усилителей, в частности, снизить напряжение питания, повысить коэффициент полезного действия на радиочастотах и температурную стабильность. Что самое замечательное - по утверждению Kopin, для получения всех этих преимуществ, достаточно просто заменить пластинами GAIN-HBT используемые сейчас пластины InGaP HBT на линиях по производству транзисторов.
В сотрудничестве с Skyworks Solutions был подготовлен демонстрационный вариант усилителя мощности для телефона на транзисторах GAIN-HBT, который отличается пониженным напряжением питания и способностью работать при пониженных температурах. Напряжение питания усилителя - 2,6 В. Оно подходит и для других цепей аппарата (сейчас повсеместно используется напряжение 2,8 В). Как сказано в пресс-релизе, большинство существующих усилителей мощности для сотовых телефонов, построенных на транзисторах GaAs-HBT, отказываются работать при пониженной температуре и напряжении питания 2,6 В. В отличие от них, усилители на GAIN-HBT работоспособны при таких условиях.
Источник: Kopin