Samsung создала модуль оперативной памяти на 512 ГБ

Четверг, 25 марта 2021 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Удивительное рядом Несмотря на проблемы в мире компьютерных комплектующих, производители продолжают демонстрировать свои новейшие разработки. Так, например, Samsung создала и показала модуль оперативной памяти DDR5, объём которого 512 ГБ.

В основу решения легла технологий High-K Metal Gate (HKMG), пишет сама компания. Её суть заключается в использовании диэлектриков с высокой диэлектрической постоянной и металлических затворов.

Такая память, разумеется, создавалась не для совсем обычных домашних компьютеров. «Целевой аудиторией» такого решения, скорее, являются ЦОД и суперкомпьютеры.

Интересной особенностью южнокорейской разработки является то, что специалистам компании удалось на одном модуле разместить восемь слоёв микросхем DRAM объёмом 16 ГБ. Они, в свою очередь, были объединены через объёмную компоновку с межслойными соединениями.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 218
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003