Samsung разработала первую в отрасли память DDR5 объёмом 512 Гб по технологии HKMG

Четверг, 25 марта 2021 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о расширении своего портфолио DDR5 DRAM модулей памяти первым в отрасли модулем DDR5 емкостью 512 ГБ, основанным на техпроцессе HKMG (High-K Metal Gate). Новый модуль DDR5 обеспечивает более чем вдвое большую производительность, чем DDR4, со скоростью передачи данных до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с).



Используя технологию сквозных кремниевых межсоединений (TSV), DDR5 от Samsung объединяет в стек до восьми слоев микросхемы DRAM объёмом по 16 Гбайт, обеспечивая максимальную емкость — 512 Гбайт. TSV впервые был использован в DRAM в 2014 году, когда Samsung представила серверные модули емкостью до 256 ГБ.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 141
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003