Samsung обещает революцию в области полупроводников в связи с открытием аморфного нитрида бора

Вторник, 7 июля 2020 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Команда разработчиков из Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT), Ульсанского национального института науки и технологий (UNIST) и Кембриджского университета объявила об открытии нового материала — аморфного нитрида бора (a-BN). Такая информация публикуется на сайте компании Samsung. Как утверждается, данная разработка ускорит появление полупроводников следующего поколения. Аморфный нитрид бора (a-BN) состоит из атомов бора и азота с аморфной структурой молекулы. В отличие от традиционного соединения бора и азота (так называемого «белого графена»), здесь атомы бора и азота расположены в гексагональной структуре, что делает a-BN уникальным образцом.

Аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе диэлектрическую проницаемость, хорошие электрические и механические свойства и может использоваться в качестве изоляционного материала для минимизации электрических помех. Материал может быть выращен при низких температурах всего 400° C. Ожидается, что a-BN найдет широкое применение в чипах памяти следующего поколения DRAM и NAND. Пока неизвестно, как долго ждать первых пользовательских образцов на базе данной технологии. Разработчики уверяют, что уже работают над внедрением материала в серийное производство для коммерческих устройств.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 210
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru