SK Hynix переводит выпуск памяти типа DDR4 на новую ступень литографии

Понедельник, 21 октября 2019 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Южнокорейская компания SK Hynix сообщила о покорении нового технологического рубежа. Ею освоен выпуск 16-гигабитных микросхем DDR4 с использованием технологии класса »1z нм», но без применения EUV-литографии. Теперь корейский производитель располагает самыми ёмкими микросхемами этого типа. Прогресс в этой сфере позволяет не только выпускать более ёмкие модули памяти, но и делать память дешевле. С одной кремниевой пластины SK Hynix получает на 27% больше микросхем, чем при помощи технологии класса »1y нм». Энергопотребление удалось снизить на 40%. реклама Источник изображения: SK Hynix реклама



В производстве памяти используются буквенные наращения к обозначению версии техпроцесса. Так, технология класса »1z нм» ближе всего к 10-нм техпроцессу. Micron подобный рубеж покорил в августе этого года. SK Hynix поставки соответствующей памяти начнёт в следующем году. В дальнейшем данная технология будет применяться для выпуска памяти типа LPDDR5 и HBM3. Последнее обозначение выглядит провокационным, поскольку принято считать, что память типа HBM третьего поколения называют «HBM2E».

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 589
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003