Samsung приступила к коммерческим поставкам чипов с памятью eMRAM
Компания Samsung Electronics опубликовала пресс-релиз, в котором сообщила о первом массовом производстве и первых коммерческих поставках продукции с использованием встраиваемой магниторезистивной памяти или eMRAM (embedded magnetic random access memory). Интересно, что данному событию компания посвятила праздничную церемонию на одном из своих заводов в Южной Корее. Для Samsung как для контрактного производителя это важное достижение, которое способно также подтолкнуть к массовому распространению eMRAM в полупроводниковой отрасли. [embedded content]
К сожалению, Samsung не распространяется как о характеристиках блоков eMRAM, так и не рассказывает о продукции, в которой эта память используется. Наиболее оптимальным применением eMRAM компания считает вещи с подключением к Интернету, различные микроконтроллеры и сферу решений для ИИ. Память eMRAM, как известно, менее плотная, чем память eNAND. Было бы интересно узнать, блоки какого объёма может выпускать Samsung. Пока компания признаётся, что цифровой проект 1-Гбит eMRAM находится в стадии подготовки и будет закончен позже в текущем году. Это означает, что к производству 1-Гбит eMRAM компания приступит не очень скоро, хотя этого можно ждать до конца текущего года.
Блоки eMRAM компания Samsung выпускает с использованием 28-нм техпроцесса 28FDS на пластинах FD-SOI из полностью обеднённого кремния на изоляторе (fully-depleted silicon-on-insulator). Блок eMRAM выпускается отдельно от чипа, в который его предстоит встроить. Такой подход позволяет монтировать eMRAM на этапе сборки, упаковки и тестирования финального продукта и не зависеть от техпроцесса, с помощью которого выпускается базовый чип. Кстати, для изготовления блока eMRAM необходимо всего три фотошаблона.
Управляющие магнитным туннельным переходом ячеек eMRAM транзисторы могут быть планарными или FinFET. В любом случае память eMRAM оказывается намного экономнее по потреблению, чем eNAND. По словам Samsung, в режиме записи eMRAM потребляет всего 1/400 от потребления eNAND в том же режиме (для eMRAM не нужна специальная операция очистки ячейки), а скорость работы eMRAM в 1000 раз больше, чем у eNAND. В демонстрационном видео, например, компания утверждает, что скорость чтения из eMRAM не отличается от скорости чтения из SRAM. Также у памяти eMRAM выше устойчивость к износу, но Samsung не уточняет насколько.
Остаётся добавить, что память eMRAM в рамках 40-нм техпроцесса довольно давно предлагает выпускать компания GlobalFoundries. Но о выполнении контрактных заказов по этой теме ничего не известно. В декабре 2018 года GlobalFoundries приступила к производству 28-нм дискретных чипов MRAM и планирует перевести производство встраиваемой eMRAM на 22-нм техпроцесс с использованием пластин FD-SOI. Компания Samsung также для этого разрабатывает новый техпроцесс с нормами 18 нм. Встраиваемую память eMRAM с нормами 40 нм может выпускать компания NXP. Техпроцесс для выпуска eMRAM также создали в Intel и он рассчитан на 22-нм нормы с использованием транзисторов FinFET. Можно ожидать, что нынешний год станет годом массового интереса проектировщиков к данному типу встраиваемой энергонезависимой памяти.
К сожалению, Samsung не распространяется как о характеристиках блоков eMRAM, так и не рассказывает о продукции, в которой эта память используется. Наиболее оптимальным применением eMRAM компания считает вещи с подключением к Интернету, различные микроконтроллеры и сферу решений для ИИ. Память eMRAM, как известно, менее плотная, чем память eNAND. Было бы интересно узнать, блоки какого объёма может выпускать Samsung. Пока компания признаётся, что цифровой проект 1-Гбит eMRAM находится в стадии подготовки и будет закончен позже в текущем году. Это означает, что к производству 1-Гбит eMRAM компания приступит не очень скоро, хотя этого можно ждать до конца текущего года.
Блоки eMRAM компания Samsung выпускает с использованием 28-нм техпроцесса 28FDS на пластинах FD-SOI из полностью обеднённого кремния на изоляторе (fully-depleted silicon-on-insulator). Блок eMRAM выпускается отдельно от чипа, в который его предстоит встроить. Такой подход позволяет монтировать eMRAM на этапе сборки, упаковки и тестирования финального продукта и не зависеть от техпроцесса, с помощью которого выпускается базовый чип. Кстати, для изготовления блока eMRAM необходимо всего три фотошаблона.
Управляющие магнитным туннельным переходом ячеек eMRAM транзисторы могут быть планарными или FinFET. В любом случае память eMRAM оказывается намного экономнее по потреблению, чем eNAND. По словам Samsung, в режиме записи eMRAM потребляет всего 1/400 от потребления eNAND в том же режиме (для eMRAM не нужна специальная операция очистки ячейки), а скорость работы eMRAM в 1000 раз больше, чем у eNAND. В демонстрационном видео, например, компания утверждает, что скорость чтения из eMRAM не отличается от скорости чтения из SRAM. Также у памяти eMRAM выше устойчивость к износу, но Samsung не уточняет насколько.
Остаётся добавить, что память eMRAM в рамках 40-нм техпроцесса довольно давно предлагает выпускать компания GlobalFoundries. Но о выполнении контрактных заказов по этой теме ничего не известно. В декабре 2018 года GlobalFoundries приступила к производству 28-нм дискретных чипов MRAM и планирует перевести производство встраиваемой eMRAM на 22-нм техпроцесс с использованием пластин FD-SOI. Компания Samsung также для этого разрабатывает новый техпроцесс с нормами 18 нм. Встраиваемую память eMRAM с нормами 40 нм может выпускать компания NXP. Техпроцесс для выпуска eMRAM также создали в Intel и он рассчитан на 22-нм нормы с использованием транзисторов FinFET. Можно ожидать, что нынешний год станет годом массового интереса проектировщиков к данному типу встраиваемой энергонезависимой памяти.
Ещё новости по теме:
18:20