Референсный дизайн смартфонов на SoC MediaTek Helio P90 включает микросхему памяти Micron LPDDR4X объемом 12 ГБ
Компания Micron Technology сообщила, что ее микросхема памяти LPDDR4X DRAM объемом 12 ГБ выбрана для использования в референсном дизайне смартфонов на SoC MediaTek Helio P90.
В корпусе микросхемы упаковано 8 кристаллов DRAM плотностью 12 Гбит каждый. Изделие характеризуется малой потребляемой мощностью и высоким быстродействием. Говоря более конкретно, новая память поддерживает скорость до 4266 Мбит/с в расчете на линию.
Применение этой микросхемы позволяет удвоить объем ОЗУ по сравнению с существующими смартфонами, в которых используется предыдущая модель объемом 6 ГБ, не увеличивая число компонентов и размеры печатной платы. Появление смартфонов на базе MediaTek Helio P90 с памятью Micron LPDDR4X в продаже ожидается летом 2019 года.
Комментировать
В корпусе микросхемы упаковано 8 кристаллов DRAM плотностью 12 Гбит каждый. Изделие характеризуется малой потребляемой мощностью и высоким быстродействием. Говоря более конкретно, новая память поддерживает скорость до 4266 Мбит/с в расчете на линию.
Применение этой микросхемы позволяет удвоить объем ОЗУ по сравнению с существующими смартфонами, в которых используется предыдущая модель объемом 6 ГБ, не увеличивая число компонентов и размеры печатной платы. Появление смартфонов на базе MediaTek Helio P90 с памятью Micron LPDDR4X в продаже ожидается летом 2019 года.
Комментировать
Ещё новости по теме:
18:20