Компания SK Hynix первой разработала микросхему памяти DRAM DDR5 плотностью 16 Гбит

Четверг, 15 ноября 2018 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Компания SK Hynix объявила о разработке первой в отрасли микросхемы памяти DRAM DDR5 плотностью 16 Гбит, соответствующей требованиям стандартов JEDEC. Для выпуска этих микросхем будет использоваться тот же техпроцесс 1Ynm, что и для представленных на днях микросхем DRAM DDR4 плотностью 8 Гбит.



К достоинствам DDR5 по сравнению с используемой сейчас памятью DDR4 относится более высокая скорость при меньшем потреблении энергии. Кроме того, с переходом на DDR5 повышается объем модулей памяти за счет увеличения числа банков.

Уменьшение энергопотребления на 30% достигается, в частности, за счет снижения напряжения питания с 1,2 В до 1,1 В. Микросхема поддерживает скорость передачи данных 5200 Мбит/с в расчете на линию, что примерно на 60% выше скорости 3200 Мбит/с, стандартизованной для памяти предыдущего поколения.

Компания SK Hynix уже предоставила крупному производителю чипсетов предназначенные для серверов и ПК модули RDIMM и UDIMM DDR5 с увеличенным с 16 до 32 числом банков.

По прогнозу IDC, спрос на DDR5 начнет расти в 2020 году. Уже в 2021 году доля DDR5 на рынке DRAM достигнет 25%, а в 2022 году — 44%. 

Комментировать

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 162
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru