Samsung начинает серийный выпуск флэш-памяти V-NAND пятого поколения для смартфонов и суперкомпьютеров

Вторник, 10 июля 2018 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Компания Samsung Electronics, лидирующая на рынке полупроводниковой памяти, объявила о начале массового выпуска микросхем флэш-памяти V-NAND пятого поколения. Это первые в отрасли микросхемы флэш-памяти с интерфейсом Toggle DDR 4. Он позволяет получить скорость передачи данных 1,4 Гбит/с, что на 40% выше показателя интерфейса, которым оснащены 64-слойные микросхемы предыдущего поколения.



Новые микросхемы имеют более 90 слоев. При этом по энергетической эффективности они не уступают 64-слойным, поскольку рабочее напряжение понижено с 1,8 В до 1,2 В. Совершенствуя технологию, высоту каждого слоя удалось уменьшить на 20%, увеличивая быстродействие при сохранении низкого уровня перекрестных помех. Время реакции в режиме чтения составляет 50 мкс, в режиме записи — 500 мкс, что является рекордным значением, на 30% лучшим по сравнению с показателем микросхем предыдущего поколения. Каждая ячейка V-NAND может хранить три бита.

По словам производителя, он планирует быстро наращивать объемы выпуска, поскольку новая память V-NAND предназначен для широкого спектра приложений — от смартфонов до суперкомпьютеров.

Комментировать

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 614
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003