Samsung обвинили в краже патентов на технологию FinFET транзисторов
С декабря 2016 года в Федеральном суде Далласа, штат Техас, шло рассмотрение дела о незаконном использовании компанией Samsung Electronics патентов на технологию транзисторов с вертикальными затворами FinFET. В конце прошлой недели, как сообщает информагентство Bloomberg, суд присяжных вынес против компании обвинительный приговор, обязав заплатить истцу $400 млн. В Samsung считают приговор несправедливым и будут подавать апелляцию.
Иск против Samsung подал американский филиал KAIST IP одноимённого южнокорейского института Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST). Со слов KAIST, компания Samsung работала с учёными учреждения над технологией FinFET и воспользовалась плодами трудов без лицензирования. Более того, Samsung якобы не интересовалась FinFET до того момента, как компания Intel объявила о завершении аналогичных изысканий и о запуске собственной программы лицензирования FinFET.
В Samsung не отрицают, что над технологией FinFET работали вместе с KAIST. Но в компании подвергли сомнению утверждение о краже патентов и вообще усомнились в правомочности патентов института на данную технологию. Надо сказать, что в этом что-то есть. Технологию FinFET стали серьёзно рассматривать в качестве альтернативы планарным транзисторам к началу 2000 года. Через два года началась фаза опытного производства структур и только через 10 лет — в 2012 году — компания Intel приступила к коммерческому выпуску 22-нм процессоров с использованием FinFET транзисторов. Этими структурами интересовались все производители чипов, включая Samsung. Вряд ли у кого-то есть условно говоря блокирующий пакет патентов. Посмотрим, что произойдёт с апелляцией Samsung, хотя решение по ней также может затянуться на годы.
Иск против Samsung подал американский филиал KAIST IP одноимённого южнокорейского института Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST). Со слов KAIST, компания Samsung работала с учёными учреждения над технологией FinFET и воспользовалась плодами трудов без лицензирования. Более того, Samsung якобы не интересовалась FinFET до того момента, как компания Intel объявила о завершении аналогичных изысканий и о запуске собственной программы лицензирования FinFET.
В Samsung не отрицают, что над технологией FinFET работали вместе с KAIST. Но в компании подвергли сомнению утверждение о краже патентов и вообще усомнились в правомочности патентов института на данную технологию. Надо сказать, что в этом что-то есть. Технологию FinFET стали серьёзно рассматривать в качестве альтернативы планарным транзисторам к началу 2000 года. Через два года началась фаза опытного производства структур и только через 10 лет — в 2012 году — компания Intel приступила к коммерческому выпуску 22-нм процессоров с использованием FinFET транзисторов. Этими структурами интересовались все производители чипов, включая Samsung. Вряд ли у кого-то есть условно говоря блокирующий пакет патентов. Посмотрим, что произойдёт с апелляцией Samsung, хотя решение по ней также может затянуться на годы.
Ещё новости по теме:
18:20