Samsung обвинили в краже патентов на технологию FinFET транзисторов

Среда, 20 июня 2018 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

С декабря 2016 года в Федеральном суде Далласа, штат Техас, шло рассмотрение дела о незаконном использовании компанией Samsung Electronics патентов на технологию транзисторов с вертикальными затворами FinFET. В конце прошлой недели, как сообщает информагентство Bloomberg, суд присяжных вынес против компании обвинительный приговор, обязав заплатить истцу $400 млн. В Samsung считают приговор несправедливым и будут подавать апелляцию.



Иск против Samsung подал американский филиал KAIST IP одноимённого южнокорейского института Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST). Со слов KAIST, компания Samsung работала с учёными учреждения над технологией FinFET и воспользовалась плодами трудов без лицензирования. Более того, Samsung якобы не интересовалась FinFET до того момента, как компания Intel объявила о завершении аналогичных изысканий и о запуске собственной программы лицензирования FinFET.

В Samsung не отрицают, что над технологией FinFET работали вместе с KAIST. Но в компании подвергли сомнению утверждение о краже патентов и вообще усомнились в правомочности патентов института на данную технологию. Надо сказать, что в этом что-то есть. Технологию FinFET стали серьёзно рассматривать в качестве альтернативы планарным транзисторам к началу 2000 года. Через два года началась фаза опытного производства структур и только через 10 лет — в 2012 году — компания Intel приступила к коммерческому выпуску 22-нм процессоров с использованием FinFET транзисторов. Этими структурами интересовались все производители чипов, включая Samsung. Вряд ли у кого-то есть условно говоря блокирующий пакет патентов. Посмотрим, что произойдёт с апелляцией Samsung, хотя решение по ней также может затянуться на годы.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 139
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru