Samsung уже разрабатывает технологию MBCFET, которая сменит FinFET на этапе 3 нм

Четверг, 24 мая 2018 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Компания Samsung Electronics в ходе ежегодного мероприятия Samsung Foundry Forum опубликовала план освоения норм техпроцесса вплоть до 3 нм.

Он включает разработку техпроцессов 7LPP (7 нм, Low Power Plus), 5LPE (5 нм Low Power Early), 4LPE / LPP (4 нм, Low Power Early / Plus) и технологии 3GAAE / GAAP (3 нм Gate-All-Around Early / Plus).



Техпроцесс 7LPP станет первым, на котором Samsung начнет использовать для выпуска полупроводниковой продукции литографию в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). По словам компании, этот техпроцесс будет готов к производству во второй половине 2018 года. Техпроцесс 5LPE станет развитием 7LPP и позволит повысить размеры кристаллов и уменьшить энергопотребление.

Техпроцессы 4LPE / LPP станут последними, когда Samsung рассчитывает использовать структуру транзисторов FinFET. Далее предполагается переход к технологии GAA, позволяющей преодолеть физические ограничения, свойственные FinFET. Компания Samsung уже разрабатывает собственный вариант GAA, получивший обозначение MBCFET (multi-bridge-channel FET).

Комментировать

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 257
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru