В Сеть попали ранние спецификации памяти HBM3

Четверг, 7 декабря 2017 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

О памяти HBM3 мы раньше ничего конкретного не знали. Разве что источники говорили, что ранее 2019 года её на рынке ожидать не стоит. Теперь же кое-какие подробности стали известны благодаря документам Rambus. Отметим, что в документах значатся ранние спецификации новой памяти, так что к моменту вывода на рынок они могут измениться.

Как можно видеть на изображении, скорость передачи данных на один вывод вырастет вдвое и достигнет 4000 Мбит/с. Это соответствует пропускной способности в 512 ГБ/с при сохранении той же ширины шины. Однако данный параметр, к сожалению, не указан. Можно предположить, что он также вырастет, так что пропускная способность будет ещё выше. HBM3, как ожидается, будет производиться по семинанометровому техпроцессу.

Также на изображении можно видеть и данные об оперативной памяти DDR5, которая тоже будет использовать нормы 7 нм. Для неё есть только один параметр — скорость передачи данных, равная 4800–6400 Мбит/с. Но при этом про DDR5 ранее упоминания уже были.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 596
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003