Samsung наращивает выпуск самой быстрой памяти DRAM — микросхем HBM2 объемом 8 ГБ

Вторник, 18 июля 2017 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Компания Samsung Electronics объявила об увеличении объемов выпуска микросхем памяти HBM2 (High Bandwidth Memory-2) объемом 8 ГБ. По словам производителя, он стремится удовлетворить растущую потребность в этой памяти «в широком спектре приложений», включая средства искусственного интеллекта, суперкомпьютерные вычисления, графические решения, сетевые системы и корпоративные серверы.

Микросхемы HBM2 объемом 8 ГБ, выпускаемые Samsung, демонстрируют высокие показатели производительности, надежности и энергетической эффективности. Такая микросхема состоит из восьми кристаллов памяти и нижнего буферного кристалла. Каждый кристалл памяти имеет более 5 000 контактов TSV для межслойного соединения, то есть в одной микросхеме Samsung HBM2 объемом 8 ГБ насчитывается более 40 000 соединений. Это позволяет получить большую пропускную способность и надежность, поскольку данные автоматически перенаправляются по другим соединениям, если выявлена задержка передачи. Пропускная способность HBM2 равна 256 ГБ/с. Для сравнения: микросхема GDDR5 характеризуется пропускной способностью 32 ГБ/с. Производитель также отмечает наличие средств защиты от перегрева.

В компании Samsung рассчитывают, что в первой половине будущего года микросхемы HBM2 объемом 8 ГБ будут составлять более половины всех микросхем HBM2, выпускаемых на ее мощностях.

Источник: Samsung Electronics

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 239
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Rating@Mail.ru