Ученые создали углеродные нанотрубки, покрытые оксидом цинка, и транзисторы на их основе

Вторник, 29 ноября 2016 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Исследователи из Сколковского Института Науки и Технологий (Сколтех), Университета Аалто (Финляндия) и Санкт-Петербургского Политехнического Университета успешно продемонстрировали технологию осаждения оксида цинка на поверхность пленок однослойных углеродных нанотрубок, сообщила сегодня пресс-служба Сколтеха. На основе нового материала были созданы амбиполярные полевые транзисторы, которые можно использовать для изготовления новых логических схем и элементов памяти.
 
Однослойные углеродные нанотрубки (ОУНТ) - это цилиндрические структуры (диаметром несколько нанометров и длиной несколько микрон), состоящие из атомов углерода. Они обладают уникальными механическими, электрическими и оптическими свойствами, что помогает в создании различных композитных материалов, суперконденсаторов, био- и химических сенсоров, а также транзисторов. Однако, для многих из этих приложений поверхность нанотрубок нужно модифицировать другими химическими соединениями, и в недавнем исследовании российские ученые вместе с финскими коллегами успешно справились с одной из подобных задач.
 
"В нашей работе мы объединили ОУНТ, обработанные озоном, и оксид цинка (ZnO) для изменения электрических свойств транзисторного устройства", - приводятся в пресс-релизе слова одного из соавторов исследования, профессора Сколтеха Альберта Насибулина.
 
Как получали материал?
 
В работе ученые сначала применяли метод обработки ОУНТ азотом, разработанный в лаборатории Наноматериалов Сколтеха, а затем напыляли оксид цинка на поверхность углеродных нанотрубок с помощью технологии осаждения атомных слоев (ALD) и в результате получили ОУНТ равномерно покрытые ZnO.
 
После этого нанотрубки, покрытые оксидом цинка, еще обрабатывали ультрафиолетом, что позволило добиться значительного улучшения гидрофильности материалов (гидрофобность нанотрубок затрудняет их использование в медицине и фармакологии для создания различных растворов, а их функционализация - превращение в гидрофильные - снимает эту проблему).
 
Транзисторы на основе нового материала
 
Использование тонких пленок ОУНТ с ZnO покрытием позволили исследователям получить из полевых транзисторов р-типа (носителем заряда в них являются "дырки") амбиполярные транзисторы (носители заряда в них служат и "дырки" и электроны). "В отличие от транзисторов р-типа, полученных в условиях окружающей среды, наши транзисторы, основанные на ALD покрытии ОУНТ имеют степень амбиполярности более 90%, - сказал Насибулин. - Такое уникальное амбиполярное поведение делает наши материалы очень интересными для технологии изготовления полупроводниковых приборов. Продемонстрированные нами амбиполярные транзисторы могут быть использованы для изготовления новых логических схем, а также элементов памяти".
 
Результаты работы опубликованы в журнале Nanotechnology.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 341
Рубрика: ТЭК
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Декабрь 2005: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
Rating@Mail.ru