Преимущества: Snapdragon 835 — перед 820 и 821, Quick Charge 4 — перед 3.0

Пятница, 18 ноября 2016 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Многим пользователям будет интересно узнать, какими именно качествами Snapdragon 835 превосходит предшествующие модели флагманских чипсетов Qualcomm и чем Quick Charge 4 отличается от Quick Charge 3.0. Об анонсе данного чипсета, характеризующегося новой версией технологии быстрой зарядки ранее уже сообщалось, и теперь необходимо рассмотреть ответы на некоторые из тех вопросов, которые непременно возникнут у пользователей, узнавших о скором выходе на рынок смартфонов на базе недавно представленного двумя ведущими технологическими компаниями чипсета.



Презентацию в Нью-Йорке провели обе компании — и Samsung Electronics, еще в октябре текущего года анонсировавшая первый 10-нанометровый мобильный процессор приложений, и Qualcomm. Новый процессор от Qualcomm называется Snapdragon 835, а не 830, как можно было бы предположить. Смартфоны с новым процессором, как уже отмечалось, смогут всего за 5 минут зарядиться достаточно для пяти часов работы.

В чем преимущество нового чипсета перед Snapdragon 820 и 821?

10-нанометровый технологический процесс повышает и производительность и энергоэффективность нового поколения процессоров Qualcomm по сравнению с предыдущим поколением 14-нанометровых процессоров Snapdragon 820 и 821, используемых в современных топовых смартфонах.

Новые процессоры будут не только мощнее и энергоэффективнее, но и повысят удобство использования мобильных девайсов, отмечает ведущий вице-президент по менеджменту продуктов Qualcomm Technologies Кейт Крессин (Keith Kressin).

Согласно сообщению компании Samsung, переход на 10-нанометровый технологический процесс обеспечивает 30-процентный прирост эффективности в сочетании с 27-процентным повышением производительности и 40-процентным снижением энергопотребления.

Чем новый процессор полезен компании Samsung?

Для Samsung Semiconductor хорошая новость состоит в возможности получения заказов на и на другие поколения флагманских процессоров Qualcomm, на которых станут базироваться премиальные смартфоны следующего года.

Подразделение компании по производству полупроводников стало невероятно важным фактором прибыльности Samsung на фоне замедления роста продаж смартфонов. Производство Qualcomm Snapdragon 835 уже ведется полным ходом и, как сообщает Qualcomm, уже в первой половине 2017 года можно ожидать появление на рынке девайсов на базе этого процессора.

Каковы преимущества Quick Charge 4 перед Quick Charge 3.0?

На этом приятные для пользователей подробности нового процессора не исчерпываются. Помимо официального анонса процессора Snapdragon 835, компания Qualcomm, как уже известно, представила также Quick Charge 4 — новую версию своей технологии быстрой зарядки батареи смартфона. Впервые она найдет себе применение именно в смартфонах с чипом Snapdragon 835. Qualcomm заявляет, что с использованием данной технологии всего за 5 минут зарядки в батарее смартфона окажется достаточно энергии для пяти часов работы девайса.

Первые три поколения Quick Charge принесли в индустрию получивший большое распространение метод быстрой зарядки. Она используются в более чем ста мобильных девайсов от таких компаний, как Samsung, LG, Lenovo, ZTE и даже Google. Кроме того, данная технология нашла себе применение также и в более чем трехстах аксессуарах, в числе которых автомобильные адаптеры, батареи и док-станции.

Важно отметить, что новая технология называется именно Quick Charge 4, а не Quick Charge 4.0. Qualcomm отмечает, что благодаря новой технологии скорость зарядки смартфона может быть повышена на как максимум 20% по сравнению с Quick Charge 3.0. Благоприятные факторы способны увеличить «жизнь батареи» как максимум на 30%.

Quick Charge 4 поддерживает соединения USB Type-C и USB-PD. При этом Qualcomm отмечает, что она также поддерживает USB Power Delivery с 3A-кабелем и для этой поддержки необходима 5A-спецификация.

Как в Quick Charge 4 обеспечивается защита от перегрева?

В технологии Quick Charge 4 также используется третья версия умной оптимизации напряжения INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage). Это новая итерация предлагаемого компанией алгоритма управления питанием включает в себя управление температурным режимом в реальном времени. Qualcomm называет эту технологию «первой в индустрии» и заявляет, что она несет с собой «совершенствование оптимизации зарядки путем автоматического определения и выбора оптимального уровня передачи энергии в имеющихся температурных условиях».

Будет также и новое зарядное устройство с силой тока 6A, работающее на 95% более эффективно, чем поддерживающее силу тока 3A. Qualcomm сообщает также, что ее стандарт Quick Charge 4 может предложить умную температурную балансировку при высокой силе тока.

Qualcomm предприняла усилия в реализации функций и усовершенствований, касающихся безопасности использования технологии в девайсах с поддержкой Quick Charge 4.

И смартфон, и адаптер питания будут обладать защитой от высоких температур, высокой силы тока и повышенного напряжения. Qualcomm дополнительно отмечает, что ею был добавлен дополнительный слой защиты, «чтобы помочь предотвратить избыточную зарядку батареи и регулировать силу тока в рамках каждого цикла зарядки». Чтобы не допускать перегрева, сенсоры и контроллеры будут встроены в чип, батарею и PMIC.

Обратная совместимость продуктов Quick Charge 4 с девайсами, поддерживающими Quick Charge 2.0 и 3.0, станет определяться в каждом конкретном случае.

По материалам androidauthority.com

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 847
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003