Крупные китайские производители намерены выйти на рынок DRAM
По сообщению источника, крупные китайские производители полупроводниковой продукции Yangtze River Storage Technology (YRST), Fujian Jin Hua Integrated Circuit и GigaDevice Semiconductor намерены выйти на рынок DRAM. Каждый из них рассчитывает стать крупнейшим китайским поставщиком этой продукции.
За спиной YRST стоит государственно-частный конгломерат Tsinghua Unigroup. В YRST рассматривают возможность приобретения готовой фабрики, рассчитанной на пластины диаметром 300 мм, или строительства новой, где будет выпускаться память типа DRAM и NAND. Отметим, что YRST уже располагает такой фабрикой, которую эксплуатирует дочернее предприятие Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing (XMC). К концу будущего года эта фабрика должна начать выпуск 32-слойной и 64-слойной флэш-памяти 3D NAND, созданной с использованием технологий Cypress (Spansion). В вопросах выпуска DRAM компания YRST рассматривает возможность сотрудничества с крупными производителями этой продукции, включая Micron Technology.
Компания Fujian Jin Hua Integrated Circuit уже строит фабрику, рассчитанную на пластины диаметром 300 мм. Технологию производства DRAM по нормам 25–30 нм это предприятие получит от United Microelectronics (UMC).
Подробностей о деятельности GigaDevice Semiconductor, точнее, совместного предприятия с участием этой компании, созданного для разработки и выпуска микросхем DRAM, источник не приводит. Известно лишь, что, как и другие перечисленные выше компании, этот производитель включится в конкуренцию на рынке DRAM не позднее 2018 года.
Источник: Digitimes
Комментировать
За спиной YRST стоит государственно-частный конгломерат Tsinghua Unigroup. В YRST рассматривают возможность приобретения готовой фабрики, рассчитанной на пластины диаметром 300 мм, или строительства новой, где будет выпускаться память типа DRAM и NAND. Отметим, что YRST уже располагает такой фабрикой, которую эксплуатирует дочернее предприятие Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing (XMC). К концу будущего года эта фабрика должна начать выпуск 32-слойной и 64-слойной флэш-памяти 3D NAND, созданной с использованием технологий Cypress (Spansion). В вопросах выпуска DRAM компания YRST рассматривает возможность сотрудничества с крупными производителями этой продукции, включая Micron Technology.
Компания Fujian Jin Hua Integrated Circuit уже строит фабрику, рассчитанную на пластины диаметром 300 мм. Технологию производства DRAM по нормам 25–30 нм это предприятие получит от United Microelectronics (UMC).
Подробностей о деятельности GigaDevice Semiconductor, точнее, совместного предприятия с участием этой компании, созданного для разработки и выпуска микросхем DRAM, источник не приводит. Известно лишь, что, как и другие перечисленные выше компании, этот производитель включится в конкуренцию на рынке DRAM не позднее 2018 года.
Источник: Digitimes
Комментировать
Ещё новости по теме:
18:20