Toshiba создала два новых технологических процесса для производства микроконтроллеров и ИС беспроводной связи
Toshiba Corporation представила новый технологический процесс производства встроенной флэш-памяти на основе технологии логических ИС с проектной нормой 65 нм с пониженным энергопотреблением по сравнению с традиционной технологией, а также технологический процесс производства энергонезависимой памяти (NVM) с поликремниевым затвором на основе технологии логических и аналоговых ИС с проектной нормой 130 нм. Как сообщили CNews в Toshiba, использование оптимального процесса для различных задач позволит компании расширить спектр продуктов в таких областях, как микроконтроллеры, ИС беспроводной связи, драйверы контроллеров электродвигателей и ИС для источников питания.
По информации компании, на рынке «Интернета вещей» наблюдается устойчивый спрос на изделия с низким энергопотреблением в таких областях, как носимые устройства и оборудование, относящееся к сфере здравоохранения. В ответ на это Toshiba освоила технологию ячеек третьего поколения SuperFlash компании Silicon Storage Technology в сочетании с собственным технологическим процессом производства логических ИС с проектной нормой 65 нм. Компания также оптимизировала ИС и производственные процессы с целью создания технологии производства логических ИС со встроенной флэш-памятью со сверхнизким энергопотреблением. Микроконтроллеры для потребительских и промышленных устройств, выполненные по этой технологии, позволяют снизить энергопотребление примерно до 60% от показателей традиционных технологий, утверждают в компании.
Вслед за первой серией микроконтроллеров Toshiba планирует выпустить ознакомительные образцы устройств Bluetooth Low Energy (BLE), беспроводной технологии ближнего радиуса действия, уже в 2016 финансовом году. Компания также планирует использовать процесс с проектной нормой 65 нм в производстве собственного семейства ИС беспроводной связи с низким энергопотреблением, включая NFC-контроллеры и бесконтактные карты. В дополнение к особенностям низкого энергопотребления этот технологический процесс также сокращает время разработки, поскольку ПО можно легко записывать и перезаписывать во флэш-память в процессе разработки.
Создавая технологические решения в сфере устройств со сверхнизким энергопотреблением для дальнейшего развития технологий специализированных периферийных ИС с флэш-памятью, а также технологий логических и аналоговых ИС, Toshiba сможет удовлетворить растущий спрос на такие устройства. Компания планирует достичь общего снижения энергопотребления систем до целевого значения 50 мкА/МГц и разработать инновационные продукты для «Интернета вещей». Для решений, в которых необходимо значительное снижение стоимости, Toshiba разработала процесс производства встроенной энергонезависимой памяти (NVM), позволяющий формировать перезаписываемые ячейки (MTP) с поликремниевым затвором по технологии компании Yield Microelectronics Corporation в технологическом процессе Toshiba с проектной нормой 130 нм.
По словам представителей Toshiba, энергонезависимая память и аналоговые цепи формируются на одном кристалле, который может выполнять несколько функций, обычно реализуемых с применением многокристальной системы. Это снижает количество выводов и позволяет использовать более компактные корпуса. Использование спецификаций перезаписываемой памяти (MTP) для времени записи позволяет оптимизировать новый процесс и ограничиться тремя или менее дополнительными операциями фотолитографии или даже вообще отказаться от них. Используя перезаписываемую память для управления точностью выходных сигналов, Toshiba рассчитывает расширить ассортимент продукции для сфер применения, требующих высокой точности, например ИС управления питанием.
Поставки ознакомительных образцов 130 нм энергонезависимой памяти (NVM) и 65 нм флэш-памяти запланированы на четвертый квартал 2015 г. и второй квартал 2016 г. соответственно.
По информации компании, на рынке «Интернета вещей» наблюдается устойчивый спрос на изделия с низким энергопотреблением в таких областях, как носимые устройства и оборудование, относящееся к сфере здравоохранения. В ответ на это Toshiba освоила технологию ячеек третьего поколения SuperFlash компании Silicon Storage Technology в сочетании с собственным технологическим процессом производства логических ИС с проектной нормой 65 нм. Компания также оптимизировала ИС и производственные процессы с целью создания технологии производства логических ИС со встроенной флэш-памятью со сверхнизким энергопотреблением. Микроконтроллеры для потребительских и промышленных устройств, выполненные по этой технологии, позволяют снизить энергопотребление примерно до 60% от показателей традиционных технологий, утверждают в компании.
Вслед за первой серией микроконтроллеров Toshiba планирует выпустить ознакомительные образцы устройств Bluetooth Low Energy (BLE), беспроводной технологии ближнего радиуса действия, уже в 2016 финансовом году. Компания также планирует использовать процесс с проектной нормой 65 нм в производстве собственного семейства ИС беспроводной связи с низким энергопотреблением, включая NFC-контроллеры и бесконтактные карты. В дополнение к особенностям низкого энергопотребления этот технологический процесс также сокращает время разработки, поскольку ПО можно легко записывать и перезаписывать во флэш-память в процессе разработки.
Создавая технологические решения в сфере устройств со сверхнизким энергопотреблением для дальнейшего развития технологий специализированных периферийных ИС с флэш-памятью, а также технологий логических и аналоговых ИС, Toshiba сможет удовлетворить растущий спрос на такие устройства. Компания планирует достичь общего снижения энергопотребления систем до целевого значения 50 мкА/МГц и разработать инновационные продукты для «Интернета вещей». Для решений, в которых необходимо значительное снижение стоимости, Toshiba разработала процесс производства встроенной энергонезависимой памяти (NVM), позволяющий формировать перезаписываемые ячейки (MTP) с поликремниевым затвором по технологии компании Yield Microelectronics Corporation в технологическом процессе Toshiba с проектной нормой 130 нм.
По словам представителей Toshiba, энергонезависимая память и аналоговые цепи формируются на одном кристалле, который может выполнять несколько функций, обычно реализуемых с применением многокристальной системы. Это снижает количество выводов и позволяет использовать более компактные корпуса. Использование спецификаций перезаписываемой памяти (MTP) для времени записи позволяет оптимизировать новый процесс и ограничиться тремя или менее дополнительными операциями фотолитографии или даже вообще отказаться от них. Используя перезаписываемую память для управления точностью выходных сигналов, Toshiba рассчитывает расширить ассортимент продукции для сфер применения, требующих высокой точности, например ИС управления питанием.
Поставки ознакомительных образцов 130 нм энергонезависимой памяти (NVM) и 65 нм флэш-памяти запланированы на четвертый квартал 2015 г. и второй квартал 2016 г. соответственно.
Ещё новости по теме:
18:20