Samsung начинает производство 8-гигабитной DDR4 по 20-нм технологии
Компания Samsung Electronics официально объявила о начале массового производства, как сказано, самой передовой в отрасли 8-гигабитной памяти DDR4, плюс соответствующих модулей емкостью 32 ГБ. Причем, эти продукты созданы с использованием продвинутой 20-нм технологии, а применение они должны найти в серверах корпоративного класса.
С новыми разработками Samsung может предложить полноценную линейку продуктов на 20-нм DRAM, которая отличается повышенной эффективностью. При этом 8-гигабитная DDR4 уже нашла применение в модулях RDIMM на 32 ГБ, производство которых недавно стартовало, а пропускная способность у них достигает 2400 Мбит/с из расчета на контакт.
Помимо упомянутых выше модулей, новые 8-гигабитные чипы DDR4 дают возможность выпускать решения большой емкости в 128 ГБ для мощных серверных систем и центров обработки данных. Помимо прочего, показатель рабочего напряжения подобных чипов и модулей составляет всего 1,2 вольта, что обеспечивает приличную энергоэффективность.
С новыми разработками Samsung может предложить полноценную линейку продуктов на 20-нм DRAM, которая отличается повышенной эффективностью. При этом 8-гигабитная DDR4 уже нашла применение в модулях RDIMM на 32 ГБ, производство которых недавно стартовало, а пропускная способность у них достигает 2400 Мбит/с из расчета на контакт.
Помимо упомянутых выше модулей, новые 8-гигабитные чипы DDR4 дают возможность выпускать решения большой емкости в 128 ГБ для мощных серверных систем и центров обработки данных. Помимо прочего, показатель рабочего напряжения подобных чипов и модулей составляет всего 1,2 вольта, что обеспечивает приличную энергоэффективность.
Ещё новости по теме:
18:20