Новости бизнесаСтатьиНоу ХауАналитикаДеньгиБизнес технологииКурс валют
Главная > Новости бизнеса > Hi-Tech > Intel представил флэш-память типа NOR, изготовленную по 90-нм техпроцессу

Intel представил флэш-память типа NOR, изготовленную по 90-нм техпроцессу

Пятница, 20 февраля 2004 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Корпорация Intel сообщила о предстоящем выпуске первых в мире компонентов флэш-памяти типа NOR, изготовленных по технологическому процессу с проектной нормой 90 нанометров. Компоненты Intel Wireless Flash Memory построены на основе технологий флэш-памяти Intel девятого поколения и сохраняют все высокие рабочие характеристики, которых требуют от флэш-памяти производители беспроводных портативных устройств.
Выступая с пленарным докладом на Форуме Intel для разработчиков, исполнительный вице-президент корпорации Intel Шон Мэлоуни (Sean Maloney) сообщил, что компоненты флэш-памяти Intel Wireless Flash Memory, изготовленные с использованием 90-нанометрового техпроцесса, имеют примерно на 50% меньший размер кристалла, чем компоненты предыдущего поколения. Это позволяет снизить себестоимость и удвоить производственные возможности корпорации Intel. Первые компоненты энергонезависимой памяти новой серии будут иметь плотность в 1 бит на ячейку. Позднее в этом году планируется выпустить компоненты на базе технологии Intel Multi-level cell (MLC), которая удваивает количество информации, хранимой в одной ячейке.
Том Лейси (Tom Lacey), вице-президент подразделения Intel Flash Products Group, отметил что в новой памяти “реализованы сразу четыре новаторские технологии: малое напряжение питания (1,8 В), непосредственное исполнение программного кода, расширенные возможности заводского программирования и совместное хранение кода и данных в одном кристалле”.
Память Intel Wireless Flash Memory, изготовленная по 90-нм производственной технологии, пополнила семейство продукции Intel Stacked Chip Scale Packaging (Stacked-CSP). Единая схема расположения выводов корпуса и общее программное обеспечение управления флэш-памятью Intel Flash для компонентов с разной плотностью облегчают многоуровневую интеграцию компонентов и модернизацию устройств и позволяют производителям размещать большее количество памяти в меньшем объеме. Объединяя в одном компактном корпусе размером 8x11 мм флэш-память высокой плотности и различные подсистемы оперативной памяти, корпорация Intel поставляет компоненты суммарной емкостью до 1 ГБ.
Поставки образцов новой флэш-памяти емкостью 64 Мб начнутся в апреле. Начало массового производства запланировано на 3 квартал нынешнего года. Предполагаемая цена составит $10,26 при поставках партиями по 10 тысяч единиц. Позднее в этом году корпорация Intel планирует начать поставки образцов флэш-памяти Intel StrataFlash Wireless Memory на базе технологии MLC и изготовленные по 90-нанометровому производственному процессу. По технологии MLC будут выпускаться, в частности, устройства емкостью 256 Мб и 512 Мб на кристалл. Кроме того, планируется выпуск различных многослойных конфигураций.

Intel

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 742
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

15: 40
Разные фабрики выпускают отличающиеся друг от друга GPU Vega 10 |
15: 40
Самую чёрную краску теперь можно купить |
15: 40
Объявлена российская цена интерактивного проектора Sony Xperia Touch на базе Android |
15: 20
В Китае снова запустят самые быстрые поезда в мире |
14: 20
Персональный помощник Samsung Bixby запущен в 200 странах мира, но пока понимает всего два языка |
10: 20
Представлено новое видео Need for Speed: Payback |
10: 20
Анонсирована Age of Empires IV |
10: 20
Анонсирован ремейк Fear Effect |
10: 00
ФАС дала «большой четвёрке» дополнительное время на отмену внутрисетевого роуминга |
10: 00
Huddle — сервис для обсуждения личных проблем |
09: 40
Какие IT-компании зарабатывают в России больше всех |
09: 40
В iOS 11 beta 7 нашли новые жесты многозадачности для iPhone 8 |
09: 20
Motorola запатентовала самовосстанавливающийся экран смартфонов |
09: 20
Polaroid выпустит два Android-смартфона |
09: 20
Asus представила шесть смартфонов ZenFone 4 |
09: 20
Батареи Galaxy Note 4 отзывают из-за проблем с перегревом |
09: 20
Как сделать голограмму с помощью смартфона |
08: 40
Что случилось 21.08.2017? |
08: 40
Опорные ВУЗы похоронят образование. Где и как теперь учиться? |
08: 40
Аудитория трансляций чемпионата Испании по футболу во «ВКонтакте» превысила 1 млн и оказалась сопоставима с телевизионной |
08: 00
LG, Apple и Samsung возглавили рейтинг 50 самых прибыльных ИТ-компаний в России по версии TAdviser |
07: 20
В новой бете tvOS 11 нашли упоминание Apple TV 5 |
07: 20
«Яндекс.Деньги» предложили пользователям персональные бонусы и скидки на онлайн-покупки |
07: 00
Microsoft PowerPoint используется для скачивания вредоносных приложений |
18: 40
Intel представила первые процессоры Core 8-го поколения |
18: 00
Blizzard, вы – боги. Спасибо за Stacraft Remastered! |
18: 00
34% всех оплат в США к 2022 году будут проведены бесконтактным способом |
18: 00
Google заплатила школьнику $10000 за обнаружение уязвимости |
18: 00
Международный запуск голосового помощника Samsung Bixby стартовал |
18: 00
Сканер лица в iPhone 8 будет работать быстрее, чем Touch ID |
17: 40
В Сеть слили фотографии компонентов iPhone 8 (5 фото) |
Новости бизнесаСтатьиНоу ХауАналитикаДеньгиБизнес технологииКурс валют
Rating@Mail.ru
Условия размещения рекламы

Наша редакция

Обратная связь

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003