Новости бизнесаСтатьиНоу ХауАналитикаДеньгиБизнес технологииКурс валют
Главная > Новости бизнеса > Hi-Tech > Intel представил флэш-память типа NOR, изготовленную по 90-нм техпроцессу

Intel представил флэш-память типа NOR, изготовленную по 90-нм техпроцессу

Пятница, 20 февраля 2004 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Корпорация Intel сообщила о предстоящем выпуске первых в мире компонентов флэш-памяти типа NOR, изготовленных по технологическому процессу с проектной нормой 90 нанометров. Компоненты Intel Wireless Flash Memory построены на основе технологий флэш-памяти Intel девятого поколения и сохраняют все высокие рабочие характеристики, которых требуют от флэш-памяти производители беспроводных портативных устройств.
Выступая с пленарным докладом на Форуме Intel для разработчиков, исполнительный вице-президент корпорации Intel Шон Мэлоуни (Sean Maloney) сообщил, что компоненты флэш-памяти Intel Wireless Flash Memory, изготовленные с использованием 90-нанометрового техпроцесса, имеют примерно на 50% меньший размер кристалла, чем компоненты предыдущего поколения. Это позволяет снизить себестоимость и удвоить производственные возможности корпорации Intel. Первые компоненты энергонезависимой памяти новой серии будут иметь плотность в 1 бит на ячейку. Позднее в этом году планируется выпустить компоненты на базе технологии Intel Multi-level cell (MLC), которая удваивает количество информации, хранимой в одной ячейке.
Том Лейси (Tom Lacey), вице-президент подразделения Intel Flash Products Group, отметил что в новой памяти “реализованы сразу четыре новаторские технологии: малое напряжение питания (1,8 В), непосредственное исполнение программного кода, расширенные возможности заводского программирования и совместное хранение кода и данных в одном кристалле”.
Память Intel Wireless Flash Memory, изготовленная по 90-нм производственной технологии, пополнила семейство продукции Intel Stacked Chip Scale Packaging (Stacked-CSP). Единая схема расположения выводов корпуса и общее программное обеспечение управления флэш-памятью Intel Flash для компонентов с разной плотностью облегчают многоуровневую интеграцию компонентов и модернизацию устройств и позволяют производителям размещать большее количество памяти в меньшем объеме. Объединяя в одном компактном корпусе размером 8x11 мм флэш-память высокой плотности и различные подсистемы оперативной памяти, корпорация Intel поставляет компоненты суммарной емкостью до 1 ГБ.
Поставки образцов новой флэш-памяти емкостью 64 Мб начнутся в апреле. Начало массового производства запланировано на 3 квартал нынешнего года. Предполагаемая цена составит $10,26 при поставках партиями по 10 тысяч единиц. Позднее в этом году корпорация Intel планирует начать поставки образцов флэш-памяти Intel StrataFlash Wireless Memory на базе технологии MLC и изготовленные по 90-нанометровому производственному процессу. По технологии MLC будут выпускаться, в частности, устройства емкостью 256 Мб и 512 Мб на кристалл. Кроме того, планируется выпуск различных многослойных конфигураций.

Intel

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 756
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

15: 20
Поставки игровых мониторов выросли на 350% |
15: 00
Суд оправдал экс-начальника серовского КУМИ Александра Гребенева и его друга Станислава Исупова |
15: 00
В Серове разбойники зарезали двух продавщиц и ранили пенсионерку |
15: 00
Фильм "Вояджер: Дальше планет" на фестивале 360° |
14: 40
Эксклюзивный бандл Gran Turismo Sport включает... настоящий автомобиль |
14: 00
Скидки на современные смартфоны от Xiaomi и Huawei в GearBest |
13: 40
Результаты GeForce GTX 1070 Ti в ПО 3DMark на 6-10% выше, чем у разогнанной GTX 1070 |
13: 40
В оглашении приговора Исупову-Гребеневу объявлен перерыв. Фигуранты уехали на обед |
12: 40
Национальная ассоциация телерадиовещателей просит Apple добавить приемник FM в новые iPhone |
11: 20
Samsung обеспечит поддержку запуска Linux-дистрибутивов на смартфонах Galaxy S8 |
11: 20
Gartner считает, что iPhone X подстегнет продажи в мобильной индустрии в 2018 году |
10: 40
Почему я выбираю iPhone Plus вместо обычного iPhone |
10: 20
Samsung DeX будет работать на Lunix, но не полностью |
10: 20
Деревянный конструктор Ugears: как превратить игрушку в искусство |
10: 20
Zotac GeForce GTX 1080 Ti ArcticStorm Mini — самая маленькая 3D-карта GeForce GTX 1080 Ti |
09: 20
LG V30 с честью выдержал испытания блогера JerryRigEverything |
09: 20
В Театре Стива Джобса можно потрогать iPhone X (фото) |
09: 20
Как "лайкнуть" бумажную книгу: Facebook-печати в реальном мире |
08: 40
СК признал отсутствие алкоголя в крови сбитого в Балашихе мальчика |
08: 40
Блог. Алексей Навальный: «В Кремле решили» |
07: 00
Прогнозы некоторых экономистов относительно акций Apple не очень оптимистичны |
18: 00
В Нидерландах открыли первый в мире мост, созданный посредством 3D-печати |
16: 20
Pixel 2 обогнал по автономности Galaxy S8, Note 8 и iPhone 8 |
16: 20
Consumer Reports: Samsung Galaxy S8 — лучший смартфон на рынке |
15: 20
Новые ноутбуки Microsoft и Qualcomm смогут работать сутки от одной подзарядки |
15: 20
Американцы показали мобильный боевой лазер |
14: 20
Глава Qualcomm уверен, что они с Apple смогут уладить свой конфликт |
14: 20
Consumer Reports: На рынке нет смартфона лучше Galaxy S8 |
14: 20
Скидка 100%: 5 временно бесплатных приложений |
14: 20
Ноутбуки с SoC Snapdragon 835 и Windows 10 удивят временем работы без подзарядки |
13: 40
Lenovo K8, K8 Plus и K8 Note получат обновление до Android 8.0 Oreo летом 2018 |
Новости бизнесаСтатьиНоу ХауАналитикаДеньгиБизнес технологииКурс валют
Rating@Mail.ru
Условия размещения рекламы

Наша редакция

Обратная связь

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Сентябрь 2015: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30