Новости бизнесаСтатьиАналитические колонкиДеньгиКурс валютБизнес технологии
Главная > Новости бизнеса > Hi-Tech > Intel представил флэш-память типа NOR, изготовленную по 90-нм техпроцессу

Intel представил флэш-память типа NOR, изготовленную по 90-нм техпроцессу

Пятница, 20 февраля 2004 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Корпорация Intel сообщила о предстоящем выпуске первых в мире компонентов флэш-памяти типа NOR, изготовленных по технологическому процессу с проектной нормой 90 нанометров. Компоненты Intel Wireless Flash Memory построены на основе технологий флэш-памяти Intel девятого поколения и сохраняют все высокие рабочие характеристики, которых требуют от флэш-памяти производители беспроводных портативных устройств.
Выступая с пленарным докладом на Форуме Intel для разработчиков, исполнительный вице-президент корпорации Intel Шон Мэлоуни (Sean Maloney) сообщил, что компоненты флэш-памяти Intel Wireless Flash Memory, изготовленные с использованием 90-нанометрового техпроцесса, имеют примерно на 50% меньший размер кристалла, чем компоненты предыдущего поколения. Это позволяет снизить себестоимость и удвоить производственные возможности корпорации Intel. Первые компоненты энергонезависимой памяти новой серии будут иметь плотность в 1 бит на ячейку. Позднее в этом году планируется выпустить компоненты на базе технологии Intel Multi-level cell (MLC), которая удваивает количество информации, хранимой в одной ячейке.
Том Лейси (Tom Lacey), вице-президент подразделения Intel Flash Products Group, отметил что в новой памяти “реализованы сразу четыре новаторские технологии: малое напряжение питания (1,8 В), непосредственное исполнение программного кода, расширенные возможности заводского программирования и совместное хранение кода и данных в одном кристалле”.
Память Intel Wireless Flash Memory, изготовленная по 90-нм производственной технологии, пополнила семейство продукции Intel Stacked Chip Scale Packaging (Stacked-CSP). Единая схема расположения выводов корпуса и общее программное обеспечение управления флэш-памятью Intel Flash для компонентов с разной плотностью облегчают многоуровневую интеграцию компонентов и модернизацию устройств и позволяют производителям размещать большее количество памяти в меньшем объеме. Объединяя в одном компактном корпусе размером 8x11 мм флэш-память высокой плотности и различные подсистемы оперативной памяти, корпорация Intel поставляет компоненты суммарной емкостью до 1 ГБ.
Поставки образцов новой флэш-памяти емкостью 64 Мб начнутся в апреле. Начало массового производства запланировано на 3 квартал нынешнего года. Предполагаемая цена составит $10,26 при поставках партиями по 10 тысяч единиц. Позднее в этом году корпорация Intel планирует начать поставки образцов флэш-памяти Intel StrataFlash Wireless Memory на базе технологии MLC и изготовленные по 90-нанометровому производственному процессу. По технологии MLC будут выпускаться, в частности, устройства емкостью 256 Мб и 512 Мб на кристалл. Кроме того, планируется выпуск различных многослойных конфигураций.

Intel

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 692
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

11: 01
LG запатентовала смартфон со сгибающимся дисплеем |
10: 21
Рассматривается возможность выноса Firefox Developer Tools в системное дополнение |
10: 01
Смартфон Nokia 6: собрано свыше миллиона заявок на покупку |
09: 21
Для чемпионата Electric GT создали гоночные версии Tesla Model S с разгоном до 100 км/ч за 2,1 с |
09: 21
Panasonic проверяет возможности госпитальных роботов HOSPI в аэропорту и гостинице |
09: 21
Hitachi и Panasonic значительно увеличивают инвестиции в направления, связанные с автомобильным сегментом |
08: 01
Sapphire первой выпускает видеокарту Radeon RX 460 с полностью разблокированным GPU Polaris 11 |
18: 41
Xiaomi Mix Evo попал в базу данных Geekbench |
18: 41
Xiaomi Mix Evo на базе Qualcomm Snapdragon 835 засветился в бенчмарке |
18: 41
Apple готовит программу замены аккумуляторов iPhone 6 |
18: 41
В Московской области будут собирать Mercedes-Benz |
18: 41
Можно ли зарядить автомобиль Tesla, съехав с Эвереста |
18: 21
Apple AirPods заняли только 2% рынка беспроводных наушников в США, а не 26% — исследование NPD |
18: 21
Рейтинг: 30 самых динамично развивающихся городов и агломераций мира по версии агентства JLL |
18: 21
«Нашими инструментами пользуются Google, Facebook, Twitter и Amazon» — Интервью с руководителем студии моушн-дизайна Toongoose и основателем компании Extrabite |
17: 41
Samsung Pay заработал с картами Visa от ВТБ24 |
17: 41
HTC One A9 начал обновляться до Android 7.0 Nougat |
17: 41
Смартфон Moto G5 Plus в Индии может быть оценён на 80 долларов ниже, чем в остальных странах |
17: 41
В России вышел камерофон Huawei Honor 6X |
17: 41
Чехол Boost сделает из MacBook нормальный ноутбук |
17: 41
В аккумуляторы для смартфонов встроили «огнетушители» |
17: 41
Защищенный планшет Panasonic Toughpad FZ-Q2 работает на Windows 10 |
17: 41
Безрамочный Xiaomi Mix Evo соберут на Snapdragon 835 |
17: 41
Смартфон Huawei Mate 9 поступил в продажу с 6 Гб RAМ |
17: 41
Google Pixel 2 показался на новых рендерах |
17: 41
Sony начала обновлять серию Xperia Z5 до Android 7.0 Nougat |
14: 41
Телевизоры LG 2017 года |
14: 41
Первое фото нового российского танка Т-90М |
14: 41
Шведский рекламный щит кашляет на курильщиков |
14: 21
Google отказалась менять проблемные Pixel и Pixel XL на новые |
14: 01
Как Sputnik делает в Тольятти крутые городские рюкзаки |
Новости бизнесаСтатьиАналитические колонкиДеньгиКурс валютБизнес технологии
Rating@Mail.ru
Условия размещения рекламы

Наша редакция

Обратная связь

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003