Новости бизнесаСтатьиАналитические колонкиДеньгиКурс валютБизнес технологии
Главная > Новости бизнеса > Hi-Tech > Intel представил флэш-память типа NOR, изготовленную по 90-нм техпроцессу

Intel представил флэш-память типа NOR, изготовленную по 90-нм техпроцессу

Пятница, 20 февраля 2004 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Корпорация Intel сообщила о предстоящем выпуске первых в мире компонентов флэш-памяти типа NOR, изготовленных по технологическому процессу с проектной нормой 90 нанометров. Компоненты Intel Wireless Flash Memory построены на основе технологий флэш-памяти Intel девятого поколения и сохраняют все высокие рабочие характеристики, которых требуют от флэш-памяти производители беспроводных портативных устройств.
Выступая с пленарным докладом на Форуме Intel для разработчиков, исполнительный вице-президент корпорации Intel Шон Мэлоуни (Sean Maloney) сообщил, что компоненты флэш-памяти Intel Wireless Flash Memory, изготовленные с использованием 90-нанометрового техпроцесса, имеют примерно на 50% меньший размер кристалла, чем компоненты предыдущего поколения. Это позволяет снизить себестоимость и удвоить производственные возможности корпорации Intel. Первые компоненты энергонезависимой памяти новой серии будут иметь плотность в 1 бит на ячейку. Позднее в этом году планируется выпустить компоненты на базе технологии Intel Multi-level cell (MLC), которая удваивает количество информации, хранимой в одной ячейке.
Том Лейси (Tom Lacey), вице-президент подразделения Intel Flash Products Group, отметил что в новой памяти “реализованы сразу четыре новаторские технологии: малое напряжение питания (1,8 В), непосредственное исполнение программного кода, расширенные возможности заводского программирования и совместное хранение кода и данных в одном кристалле”.
Память Intel Wireless Flash Memory, изготовленная по 90-нм производственной технологии, пополнила семейство продукции Intel Stacked Chip Scale Packaging (Stacked-CSP). Единая схема расположения выводов корпуса и общее программное обеспечение управления флэш-памятью Intel Flash для компонентов с разной плотностью облегчают многоуровневую интеграцию компонентов и модернизацию устройств и позволяют производителям размещать большее количество памяти в меньшем объеме. Объединяя в одном компактном корпусе размером 8x11 мм флэш-память высокой плотности и различные подсистемы оперативной памяти, корпорация Intel поставляет компоненты суммарной емкостью до 1 ГБ.
Поставки образцов новой флэш-памяти емкостью 64 Мб начнутся в апреле. Начало массового производства запланировано на 3 квартал нынешнего года. Предполагаемая цена составит $10,26 при поставках партиями по 10 тысяч единиц. Позднее в этом году корпорация Intel планирует начать поставки образцов флэш-памяти Intel StrataFlash Wireless Memory на базе технологии MLC и изготовленные по 90-нанометровому производственному процессу. По технологии MLC будут выпускаться, в частности, устройства емкостью 256 Мб и 512 Мб на кристалл. Кроме того, планируется выпуск различных многослойных конфигураций.

Intel

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 700
Рубрика: Hi-Tech
(CY)

Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

18: 40
Конструктор сайтов Wix приобрёл творческое сообщество DeviantArt за $36 млн |
18: 40
Доход Fitbit за квартал составил 574 млн долларов, за 2016 год в целом — 2,17 млрд долларов |
18: 20
У смартфонов Pixel снова проблемы |
18: 20
В Китае появились дроны с огнеметами |
18: 00
Полет дрона над огромным водосбросом |
17: 20
Европа даёт скидку 20% на любой iPhone. Как её получить? |
16: 40
Пользователи новых MacBook Pro жалуются на проблемы с клавиатурой |
16: 40
Как сделать игровой автомат: мастер-класс от "Королевы идиотских роботов" |
16: 20
Deutsche Bank: не ждите чуда от нового iPhone |
15: 00
Momo Mirage: гибрид «Феррари» и «Роллс-Ройса» |
14: 20
Эван Блэсс опубликовал характеристики смартфона Samsung Galaxy S8+ |
14: 20
Все готово для появления смартфонов с наэкранным сканером отпечатка |
14: 00
Швейцарский электрокар разгонится до 100 км/ч за 2,3 секунды |
13: 20
Samsung представила мощный 10-нанометровый процессор Exynos 9 Series 8895 |
12: 40
Солнечные батареи, сканер штрих-кодов, оплата отпечатками: семь масштабных стартап-провалов — Михаил Смолянов изучил отчёт CB Insights, посвящённый самым дорогим закрывшимся проектам |
12: 40
Великая битва: что лудше iPhone 7 или Samsung Galaxy S7 Edge? |
12: 40
По подсчетам JPR, за год доля AMD на рынке 3D-карт выросла с 21,6% до 29,5% |
12: 40
Опубликованы первые фотографии смартфона Xiaomi Mi6 |
12: 20
Конференц-зал в новой штаб квартире Apple Park назовут в честь Стива Джобса |
12: 00
Культура Чако: в Северной Америке власть контролировали женщины |
12: 00
Tesla не смогла стать прибыльной по итогам четвёртого квартала 2016 года |
12: 00
Характеристики Samsung Galaxy S8 Plus утекли в Сеть |
11: 00
Доход HP за минувший квартал составил 12,7 млрд долларов |
10: 20
Можно ли покупать iPhone 5s в 2017 году |
10: 20
Официальная сумма сделки между Fitbit и Pebble оказалась на $17 млн меньше предполагаемой |
10: 00
Пользователи новых MacBook Pro сообщают о проблемах с клавиатурой |
09: 20
В Сети доступны новые живые снимки флагманского смартфона Samsung Galaxy S8 |
07: 40
Apple представила красочный видеоролик нового кампуса Apple Park |
07: 00
Apple выкупила домен iCloud.net, закрыв одноимённую социальную сеть |
07: 00
Неизменность человеческой личности - это миф |
18: 00
Apple представила новый кампус Park, открытие в апреле |
Новости бизнесаСтатьиАналитические колонкиДеньгиКурс валютБизнес технологии
Rating@Mail.ru
Условия размещения рекламы

Наша редакция

Обратная связь

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Skype: rosinvest.com (Русский, English, Zhōng wén).

Архивы новостей за: 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003