Samsung переходит на 70-нм технологический процесс
Компания Samsung объявила о начале массового выпуска чипов NAND флэш-памяти высокой емкости (4 Гбит) с применением нового 70-нм технологического процесса, который позволит предложить более емкие носители данных для бытовых и мобильных устройств по более приемлемой цене.
Использование 70-нм технологического процесса при производстве 4-гигабитных чипов флэш-памяти типа NAND позволяет компании Samsung производить самые маленькие по размеру ячейки памяти - площадью 0,025 квадратных мкм. Своему успешному развитию 70-нанометровый технологический процесс обязан применению литографического оборудования, которое использует коротковолновые источники света на основе фторида аргона (ArF), позволяющие добиться необходимой точности размещения элементов на кристалле.
Микросхемы, произведенные по 70-нанометровой технологии, демонстрируют впечатляющие скоростные характеристики: скорость записи - 16 Мб/сек, что на 50% лучше, чем у современных 2-гигабитных чипов, выполненных по 90-нм технологическому процессу, и позволяет применять данный тип памяти для записи в реальном времени видеосигнала высокой четкости (HD).
Компания Samsung также анонсировала выпуск первой 300-миллиметровой кремниевой пластины (wafer) на своей новой технологической линии на месяц раньше запланированного срока. С начала запуска 14-й линии по выпуску 300-мм заготовок ее производительность составит 4000 пластин в месяц и выйдет на расчетную мощность в 15000 штук в месяц к концу 2005 года. Линия будет выпускать 70-нм 4-гигабитные и 90-нм 2-гигабитные чипы флэш-памяти типа NAND.
По данным исследовательской компании Gartner Dataquest, микросхемы NAND флэш-памяти емкостью 4 гигабита в 2005 году займут более 30% рынка, оцениваемого в целом в 8 млрд. долларов США.
Использование 70-нм технологического процесса при производстве 4-гигабитных чипов флэш-памяти типа NAND позволяет компании Samsung производить самые маленькие по размеру ячейки памяти - площадью 0,025 квадратных мкм. Своему успешному развитию 70-нанометровый технологический процесс обязан применению литографического оборудования, которое использует коротковолновые источники света на основе фторида аргона (ArF), позволяющие добиться необходимой точности размещения элементов на кристалле.
Микросхемы, произведенные по 70-нанометровой технологии, демонстрируют впечатляющие скоростные характеристики: скорость записи - 16 Мб/сек, что на 50% лучше, чем у современных 2-гигабитных чипов, выполненных по 90-нм технологическому процессу, и позволяет применять данный тип памяти для записи в реальном времени видеосигнала высокой четкости (HD).
Компания Samsung также анонсировала выпуск первой 300-миллиметровой кремниевой пластины (wafer) на своей новой технологической линии на месяц раньше запланированного срока. С начала запуска 14-й линии по выпуску 300-мм заготовок ее производительность составит 4000 пластин в месяц и выйдет на расчетную мощность в 15000 штук в месяц к концу 2005 года. Линия будет выпускать 70-нм 4-гигабитные и 90-нм 2-гигабитные чипы флэш-памяти типа NAND.
По данным исследовательской компании Gartner Dataquest, микросхемы NAND флэш-памяти емкостью 4 гигабита в 2005 году займут более 30% рынка, оцениваемого в целом в 8 млрд. долларов США.
Ещё новости по теме:
18:20